本發(fā)明公開了一種低溫（150oC）檢測(cè)氮氧化物氣敏元件的制備方法：首先采用p型單晶硅作為基底，利用雙槽電化學(xué)的方法在基底表面制備多孔硅層；其次以金屬鎢作為耙材，利用磁控濺射的方法在多孔硅表面沉積金屬鎢薄膜；然后，在水平管式爐中采用熱退火金屬鎢薄膜的方法制備多孔硅/氧化鎢納米線復(fù)合結(jié)構(gòu)；最后，在多孔硅/氧化鎢納米線復(fù)合結(jié)構(gòu)表面沉積鉑電極，制得低溫檢測(cè)氮氧化物氣敏元件，其在低溫且對(duì)低濃度NOx氣體具有高靈敏度、高選擇性以及良好響應(yīng)恢復(fù)特性。該方法具有設(shè)備簡單、操作方便、工藝參數(shù)易于控制、成本低的優(yōu)點(diǎn)，具有重要的實(shí)踐與研究意義。