本發(fā)明涉及一種檢測氧化堆垛層錯的方法，所屬硅片檢測技術(shù)領(lǐng)域，包括先對硅片進(jìn)行退火處理，硅片的氧化退火在氧化退火爐上進(jìn)行，將硅片置于碳化硅舟上，在750℃下碳化硅舟進(jìn)入，在1100℃溫度下，通入氧氣和氫氣合成的高溫水汽。經(jīng)過一小時化學(xué)反應(yīng)后，降溫碳化硅舟推出，冷卻至室溫后取下硅片。將硅片使用X射線形貌術(shù)進(jìn)行氧化堆垛層錯測試。硅片退火后，使用X射線形貌術(shù)測量得到的形貌圖中若顯示實(shí)心圓狀或環(huán)狀深灰色陰影，即代表此處有氧化堆垛層錯存在。具有穩(wěn)定性好、無損傷和無污染的特點(diǎn)。解決了擇優(yōu)腐蝕液含有重金屬鉻對環(huán)境和人體有害的問題。