本發(fā)明涉及一種用于研磨半導(dǎo)體晶圓基材的化學(xué)機(jī)械研磨裝置及研磨方法,該裝置適用于研磨一晶圓上的一材料層,其包括一底座、數(shù)個(gè)研磨頭、數(shù)個(gè)研磨墊、一度量器以及一控制器。該研磨頭是設(shè)置于該底座之上;該研磨墊是設(shè)置于該底座之上;該度量器是設(shè)置于該底座之上,并且是位于該研磨墊中的兩個(gè)相鄰研磨墊之間,用以量測(cè)該材料層的厚度。該控制器是連接于該研磨墊以及該度量器;該研磨方法是在該研磨墊中的至少一個(gè)第一個(gè)研磨墊上研磨該材料層;以該度量器量測(cè)該材料層的厚度;以及在該研磨墊中的至少一個(gè)第二個(gè)研磨墊上將該材料層研磨成一目標(biāo)厚度。本發(fā)明可以較大幅度的節(jié)省研磨的時(shí)間,提高生產(chǎn)效率。