本發(fā)明提供一種無需設(shè)定物質(zhì)、化學(xué)反應(yīng)的信息,而可以從大量的波長下的波形,選定代表性的少數(shù)的波長,可以削減花費大量的工時的蝕刻數(shù)據(jù)的解析,而高效地進行蝕刻的監(jiān)視/測定的設(shè)定的蝕刻裝置。在蝕刻裝置中,具備:按批量晶片階段的OES數(shù)據(jù)檢索/取得功能(511),取得多個沿著蝕刻處理時間軸的發(fā)光強度波形;波形變化有無判定功能(521),判定在多個發(fā)光強度波形中有無變化;波形相關(guān)矩陣計算功能(522),計算發(fā)光強度波形間的相關(guān)矩陣;波形分類功能(523),將發(fā)光強度波形分類為組;代表波形選定功能(524),從組選定代表性的發(fā)光強度波形。
聲明:
“蝕刻裝置、分析裝置、蝕刻處理方法、以及蝕刻處理程序” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)