本發(fā)明公開基于鐵電調(diào)控二維鈣鈦礦光電探測器及其制備方法。制備流程為在超聲清潔后SiO₂襯底上，采用光刻或掩模版蒸鍍的方法制作柵電極，然后在此之上使用旋涂的方法制備聚偏氟乙烯?三氟乙烯共聚物(P(VDF?TrFE))有機鐵電聚合物薄膜，經(jīng)過退火處理，去除界面殘留溶劑及保證薄膜具有良好結(jié)晶特性。在此之上，使用掩模版蒸鍍源漏電極，最后在氮氣環(huán)境下使用旋涂的方法，旋涂(PEA)₂SnI₄前驅(qū)體溶液，再經(jīng)過退火使溶液揮發(fā)促進結(jié)晶制備完成(PEA)₂SnI₄光電場效應管器件。該器件對可見光光譜范圍有較好響應，響應率為14.57A/W,探測率高達1.74x10¹²Jones。響應時間上升沿50ms，下降沿1.5s。