本發(fā)明公開了一種基于
鈣鈦礦?
碳納米管體異質(zhì)結(jié)的寬譜光電探測器,包括依次層疊設(shè)置的襯底、柵介質(zhì)層、界面修飾層、鈣鈦礦?碳納米管體異質(zhì)結(jié)薄膜、電極層以及封裝層;其中,所述鈣鈦礦?碳納米管體異質(zhì)結(jié)薄膜中的碳納米管為半導體性碳納米管。本發(fā)明的基于鈣鈦礦?碳納米管體異質(zhì)結(jié)的寬譜光電探測器,利用碳納米管的高載流子遷移率與寬譜吸收特性,將鈣鈦礦的吸收光譜拓寬至近紅外范圍,同時提升了鈣鈦礦薄膜結(jié)晶質(zhì)量及載流子遷移率,克服了溶液法制備的多晶鈣鈦礦薄膜在近紅外范圍內(nèi)吸收低與載流子遷移率低的關(guān)鍵應(yīng)用瓶頸。本發(fā)明所述的鈣鈦礦?碳納米管體異質(zhì)結(jié)結(jié)構(gòu)可顯著增加用于電荷分離的界面面積,使得光響應(yīng)度得到了大幅度提升。
聲明:
“基于鈣鈦礦-碳納米管體異質(zhì)結(jié)的寬譜光電探測器” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)