本發(fā)明涉及一種新型纖鋅礦GaAs核殼納米線光電探測器的制備方法，將GaAs(111)B單晶襯底先后浸泡在多聚賴氨酸溶液和金溶膠中，然后清洗并干燥，放入到金屬有機氣相沉積系統(tǒng)中，通入高純氫氣作為載氣，然后通入砷化氫，將襯底加熱一段時間，然后降溫，再通入三甲基鎵，保持一段時間；將襯底加熱，然后通入三甲基銦和磷化氫，將所制備的核殼納米線轉(zhuǎn)移到Si/SiO₂襯底上，然后在納米線表面涂上一層ZEP光刻膠，然后在納米線兩端刻畫出兩個溝道，之后利用稀鹽酸腐蝕納米線以去除掉納米線InP殼層，隨后鍍上Ti/Au合金以制備電極，得到新型纖鋅礦GaAs核殼納米線光電探測器。本發(fā)明制備的光探測器測量效率高，也比現(xiàn)有的納米線光探測器的光響應(yīng)度高接近兩個數(shù)量級。