本發(fā)明一種三維陣列
碳納米管及其制備方法,屬于
納米材料制備技術領域;所述碳納米管單根直徑為30?50nm,長度為2?3μm。制備方法步驟為:步驟1:在基底上生長氧化物納米陣列作為模板,并在烘箱中干燥完全;步驟2:在步驟1得到的氧化物納米陣列上包覆碳層;步驟3:在400?800℃下進行化學氣相沉積CVD反應,在反應過程中去除模板以及完成表面碳化過程,最終得到所述三維陣列碳納米管。本發(fā)明制備工藝簡單,成本低廉,易于調控,可大規(guī)模生產。可用于催化、能源及
復合材料等領域。與傳統(tǒng)方式制備的無序堆疊的碳納米管相比,本發(fā)明制備了高度有序的垂直氮摻雜碳納米管(V?CNTs)。
聲明:
“三維陣列碳納米管及其制備方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)