本發(fā)明公開了一種復(fù)合圖形化襯底的制備方法,包括以下步驟:S1:制備藍(lán)寶石基礎(chǔ)襯底;S2:在S1步驟中制備的藍(lán)寶石基礎(chǔ)襯底表面固定支撐體,再在支撐體表面鍍金屬合金層,去除氧化膜,去除支撐體,即得空腔結(jié)構(gòu)的藍(lán)寶石襯底;S3:在藍(lán)寶石襯底的空腔中填充納米
復(fù)合材料,同時(shí)在金屬合金層外表面形成AlN層;S4:在AlN層上進(jìn)行光刻膠、堅(jiān)膜以及兩次ICP刻蝕處理;S5:清洗掉剩下的光刻膠,即得復(fù)合圖形化襯底。本發(fā)明提出的制備方法簡單、易操作,制得的復(fù)合圖形化襯底晶體質(zhì)量高,光的出射強(qiáng),襯底整體的重量輕,生產(chǎn)成本低,基礎(chǔ)襯底與GaN材料的溫差小,晶體的性能穩(wěn)定,晶格失配率低,MOCVD的使用效率高。
聲明:
“復(fù)合圖形化襯底的制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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