本發(fā)明公開了一種復(fù)合圖形化襯底的制備方法，包括以下步驟：S1：制備藍(lán)寶石基礎(chǔ)襯底；S2：在S1步驟中制備的藍(lán)寶石基礎(chǔ)襯底表面固定支撐體，再在支撐體表面鍍金屬合金層，去除氧化膜，去除支撐體，即得空腔結(jié)構(gòu)的藍(lán)寶石襯底；S3：在藍(lán)寶石襯底的空腔中填充納米復(fù)合材料，同時在金屬合金層外表面形成AlN層；S4：在AlN層上進(jìn)行光刻膠、堅膜以及兩次ICP刻蝕處理；S5：清洗掉剩下的光刻膠，即得復(fù)合圖形化襯底。本發(fā)明提出的制備方法簡單、易操作，制得的復(fù)合圖形化襯底晶體質(zhì)量高，光的出射強(qiáng)，襯底整體的重量輕，生產(chǎn)成本低，基礎(chǔ)襯底與GaN材料的溫差小，晶體的性能穩(wěn)定，晶格失配率低，MOCVD的使用效率高。