本申請?zhí)峁┝艘环N負(fù)極極片、包含該負(fù)極極片的
電化學(xué)裝置和電子裝置,負(fù)極極片包含
負(fù)極材料層,負(fù)極材料層包含硅基
復(fù)合材料,硅基復(fù)合材料包含多孔的碳基體和碳基體孔隙內(nèi)的納米硅顆粒,硅基復(fù)合材料的XRD衍射圖譜中在2θ角為12°至38°范圍內(nèi)存在衍射峰,衍射峰的總面積為A,衍射峰中2θ角為12°至衍射峰的峰值所對應(yīng)的2θ角范圍內(nèi)的衍射峰面積為B,且60%≤B/A≤70%。具有本申請負(fù)極極片的電化學(xué)裝置具有良好的循環(huán)性能、較小的循環(huán)變形率、高的能量密度和良好的倍率性能。
聲明:
“負(fù)極極片、包含該負(fù)極極片的電化學(xué)裝置和電子裝置” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)