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新型低介電常數(shù)液晶聚合物基復(fù)合材料及制備方法

1107   編輯:管理員   來源:中冶有色技術(shù)網(wǎng)  
2023-03-18 15:48:02
本發(fā)明公開了一種新型低介電常數(shù)液晶聚合物基復(fù)合材料及制備方法,該低介電常數(shù)液晶聚合物基復(fù)合材料,包括以下重量份的材料:60~80份的液晶聚合物,5~25份的氟化改性介孔材料,1~10份的分散劑和0.2~1份的抗氧化劑。本發(fā)明制備方法基于熔融擠出造粒法,利用氟硅烷改性劑對介孔二氧化硅和活性炭等微納材料進(jìn)行表面氟化改性,并將氟化改性后的材料引入到液晶聚合物中,能有效保證了復(fù)合材料的介電常數(shù)和損耗,優(yōu)化了液晶聚合物基復(fù)合材料的介電性能。本發(fā)明方法制備過程簡單,操作方便,成本低廉,環(huán)境友好,適合于規(guī)?;a(chǎn)。
聲明:
“新型低介電常數(shù)液晶聚合物基復(fù)合材料及制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)
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