本發(fā)明公開了一種鑲嵌C/C的C/SiC陶瓷基
復(fù)合材料,由C/C復(fù)合材料和C/SiC陶瓷基復(fù)合材料組成,其特征在于在C/C復(fù)合材料周圍包裹一層C/SiC陶瓷基復(fù)合材料C/SiC陶瓷基復(fù)合材料厚度為5~20mm。在制備好的C/C復(fù)合材料表面包裹一層
碳纖維編織體,通過聚碳
硅烷液相浸漬熱解的方法向碳纖維編織體中滲入SiC,得到一種鑲嵌C/C的C/SiC陶瓷基復(fù)合材料。因?yàn)楸景l(fā)明的復(fù)合材料的內(nèi)層是由C/C復(fù)合材料構(gòu)成,其基體與增強(qiáng)相之間為同類,故其熱膨脹系數(shù)較為一致,材料整體抗熱震性能十分優(yōu)異,膨脹系數(shù)低,強(qiáng)度高、比重輕等優(yōu)點(diǎn),且制備效率高,工藝簡單。
聲明:
“鑲嵌C/C的C/SiC陶瓷基復(fù)合材料及其制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)