本發(fā)明公開(kāi)了一種基于憶阻器的腦高級(jí)功能模擬方法,所述憶阻器包括頂電極和底電極,所述方法包括如下步驟:在所述頂電極施加脈沖信號(hào),所述底電極接地,記錄所述憶阻器的響應(yīng)電流或者電導(dǎo)值變化,實(shí)現(xiàn)腦高級(jí)功能的模擬;腦高級(jí)功能模擬過(guò)程簡(jiǎn)單,不需要三端晶體管或者運(yùn)算放大器等復(fù)雜器件的配合,結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單,易于實(shí)現(xiàn)。
聲明:
“基于憶阻器的腦高級(jí)功能模擬方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)