本發(fā)明涉及一種碳包覆含硅球體及其制備方法和應(yīng)用。制備方法包括:提供基材和具有微納米尺寸的半球形結(jié)構(gòu)的微納紋理模板,球半徑為R;在基材上施加轉(zhuǎn)印膠,轉(zhuǎn)印,固化,制備具有微納米尺寸的半球形結(jié)構(gòu)的第一中間體;在第一中間體上仿形沉積制備第一碳包覆層,厚度為S1;在第一碳包覆層上仿形沉積硅層,硅層的厚度≥(2R?S1);采用保護(hù)膠在硅層上制備表面為平面的保護(hù)膠層;采用蝕刻等離子源對(duì)保護(hù)膠層和硅層進(jìn)行蝕刻,硅層的蝕刻厚度為2R,制備得到含硅球體;在含硅球體未被碳包覆層包覆的表面上沉積第二碳包覆層,厚度為S2。該方法操作簡(jiǎn)易、成本低、可大批量應(yīng)用,可提升硅材料的結(jié)構(gòu)穩(wěn)定性和能量密度,延長(zhǎng)電池的充放電穩(wěn)定次數(shù)。
聲明:
“碳包覆含硅球體及其制備方法和應(yīng)用” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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