本實(shí)用新型公開(kāi)一種雙位多靶離子束沉積裝置,包括機(jī)架、真空鍍膜室、激光器、主離子源、輔離子源、旋轉(zhuǎn)靶座和基片架,真空鍍膜室裝設(shè)于機(jī)架上,主離子源、旋轉(zhuǎn)靶座和基片架均設(shè)于真空鍍膜室內(nèi),基片架夾設(shè)有基片,主離子源和旋轉(zhuǎn)靶座均為兩個(gè),一個(gè)旋轉(zhuǎn)靶座上安裝有四種不同的靶材,基片架的中心線與兩旋轉(zhuǎn)靶座的中心線相互重疊,兩主離子源分設(shè)于基片架的兩側(cè),主離子源的發(fā)射口對(duì)準(zhǔn)旋轉(zhuǎn)靶座,輔離子源設(shè)置于真空鍍膜室下方,輔離子源的發(fā)射口對(duì)準(zhǔn)基片,真空鍍膜室設(shè)有石英窗,激光器發(fā)出的激光束穿過(guò)石英窗射入靶材上。本實(shí)用新型能同時(shí)鍍兩種材料,形成合金材料,能實(shí)現(xiàn)新型理想的
功能材料,提高鍍膜質(zhì)量,提高沉積效率。
聲明:
“雙位多靶離子束沉積裝置” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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