本發(fā)明屬于
儲能研究領域,特別涉及一種硅碳
負極材料,所述
硅碳負極材料顆粒直徑為D1,由核結構、第1包覆層、第2包覆層、……、第n包覆層、低n+1包覆層組成(n≥2);所述核結構、第1包覆層、第2包覆層、……、第n包覆層、第n+1包覆層中,硅基組分含量分別為x0%、x1%、……、xn%、xn+1%;所述核結構、第1包覆層、第2包覆層、……、第n包覆層、第n+1包覆層中,功能性組分含量分別為y0%、y1%、……、yn%、yn+1%;且y0%≤y1%≤……≤yn%,2≤n。該結構將功能性組分置于顆粒的更表層、高容量的硅基材料置于顆粒內(nèi)部,可以同時發(fā)揮出
功能材料的特殊功能(如高倍率、優(yōu)良低溫性能等)以及
硅基負極材料的高容量特性。
聲明:
“硅碳負極材料及其制備方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)