本發(fā)明公開一種普適性自封裝
鈣鈦礦薄膜的制備方法,包括以下步驟:首先,將不同種類聚合物溶液旋涂于基底上面,利用極性溶劑對聚合物薄層進(jìn)行刻蝕和鈣鈦礦液相結(jié)晶的優(yōu)勢,使產(chǎn)生的聚合物參與并調(diào)控鈣鈦礦的成核和生長過程,形成了聚合物自包覆的鈣鈦礦薄膜。本發(fā)明提供的自封裝鈣鈦礦薄膜制備過程簡單,成本低且可重復(fù)性高,具有普適性,并且得到的自封裝鈣鈦礦薄膜具有較高的結(jié)晶質(zhì)量和良好的環(huán)境穩(wěn)定性,極大地推動了
太陽能電池、發(fā)光二極管、光探測器等鈣鈦礦光電子的商業(yè)化應(yīng)用。
聲明:
“普適性自封裝鈣鈦礦薄膜的制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)