權(quán)利要求
1.二次電池，其特征在于，包括電極組件，所述電極組件包括陽極極片，所述陽極極片包括陽極集流體和設(shè)于所述陽極集流體上的陽極活性材料層；
所述陽極活性材料層包括陽極活性材料，所述陽極活性材料包括石墨，所述石墨的結(jié)晶度為Lc nm，Lc≥30；
所述陽極活性材料層具有遠離所述陽極集流體的第一表面，所述陽極活性材料層設(shè)有貫穿所述第一表面的凹部。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的二次電池，其特征在于，Lc≤60。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的二次電池，其特征在于，所述凹部包括孔和/或槽。
4. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的二次電池，其特征在于，所述凹部的半徑為R μm，所述石墨的顆粒中體積累計分布為10%、50%、90%的粒徑分別為Dv10 μm、Dv50 μm、Dv90 μm，（Dv50-Dv10）≤R≤（Dv50+Dv90）。
5. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的二次電池，其特征在于，所述凹部的深度為H μm，所述陽極活性材料層的厚度為La μm，0.3Lc≤H≤0.5La。
6. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的二次電池，其特征在于，所述凹部的半徑為R μm，10≤R≤60。
7. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的二次電池，其特征在于，所述凹部的深度為H μm，5≤H≤40。
8. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的二次電池，其特征在于，所述凹部的邊緣部分凸出于所述第一表面的高度為h μm，3≤h≤10。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的二次電池，其特征在于，所述凹部在所述陽極活性材料層的厚度方向上的截面形狀為V形。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的二次電池，其特征在于，所述凹部通過激光加工工藝形成。
11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的二次電池，其特征在于，所述陽極活性材料層還包括粘結(jié)劑。
12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的二次電池，其特征在于，所述電極組件還包括陰極極片和隔膜，所述陽極極片、所述隔膜和所述陰極極片層疊設(shè)置，所述第一表面與所述隔膜相接。
13.一種電子裝置，其特征在于，包括如權(quán)利要求1至12中任一項所述的二次電池。
說明書
技術(shù)領(lǐng)域
[0001]本申請涉及電池技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種二次電池及電子裝置。
背景技術(shù)
[0002]在電池技術(shù)的發(fā)展中，由于二次電池具備輸出功率高、循環(huán)壽命長和環(huán)境污染小等優(yōu)點，而被廣泛應(yīng)用。如何提高二次電池的能量密度以及獲得更好的性能，一直是電池技術(shù)領(lǐng)域的工作人員的研究方向。
發(fā)明內(nèi)容
[0003]本申請?zhí)峁┮环N二次電池及電子裝置，該二次電池在提高能量密度的同時還能緩解穿梭離子析出和循環(huán)衰減的問題。
[0004]為了實現(xiàn)上述目的，本申請采取了如下技術(shù)方案：
第一方面，本申請?zhí)峁┝艘环N二次電池，包括電極組件，電極組件包括陽極極片，陽極極片包括陽極集流體和設(shè)于陽極集流體上的陽極活性材料層；陽極活性材料層包括陽極活性材料，陽極活性材料包括石墨，石墨的結(jié)晶度為Lc nm，Lc≥30；陽極活性材料層具有遠離陽極集流體的第一表面，陽極活性材料層設(shè)有貫穿第一表面的凹部。
[0005]在上述技術(shù)方案中，由于結(jié)晶度較高的石墨具有首效高、容量高的性能，有利于提高陽極極片的能量密度，從而提高二次電池的能量密度；凹部不僅增加了石墨中能夠嵌入鋰離子的活性位點，還能夠形成鋰離子擴散的通道，有助于鋰離子在陽極極片中的擴散，有利于緩解高結(jié)晶度石墨在充放電過程容易析鋰問題；同時，凹部增加了高結(jié)晶度石墨與電解液的反應(yīng)位點，有利于使高結(jié)晶度石墨表層形成的固體電解質(zhì)界面膜更加致密，緩解了高結(jié)晶度石墨片層的剝離，有利于緩解陽極極片的循環(huán)衰減，從而有利于緩解二次電池的循環(huán)衰減。
[0006]在本申請技術(shù)方案所提供的實施例中，Lc≤60。如此，可以使得石墨的結(jié)晶度不至于過高，從而改善循環(huán)容量保持率顯著加速衰減的問題。
[0007]在本申請技術(shù)方案所提供的實施例中，凹部包括孔和/或槽?？谞罱Y(jié)構(gòu)便于在加工過程定位，凹部包括孔使得凹部在加工過程中定位精確，有利于實現(xiàn)對凹部的精確控制；槽狀結(jié)構(gòu)能夠進行連續(xù)加工，具有較高的加工效率，凹部包括槽，能夠?qū)崿F(xiàn)凹部的連續(xù)加工，有利于提高凹部的加工效率。
[0008]在本申請技術(shù)方案所提供的實施例中，凹部的半徑為R μm，石墨的顆粒中體積累計分布為10%、50%、90%的粒徑分別為Dv10μm、Dv50μm、Dv90μm，（Dv50-Dv10）≤R≤（Dv50+Dv90）。這使得能夠在石墨顆粒上形成凹部，增大了石墨顆粒的表面積，不僅增加了石墨顆粒上鋰離子能嵌入的活性位點，還增加了石墨顆粒與電解液的接觸面積，從而增加了石墨顆粒與電解液的反應(yīng)位點，有利于在石墨表層形成更為致密的固體電解質(zhì)界面膜。
[0009]在本申請技術(shù)方案所提供的實施例中，凹部的深度為H μm，陽極活性材料層的厚度為La μm，0.3Lc≤H≤0.5La，使得凹部具有一定的深度，能夠伸入墨片層，有利于離子和電解液向陽極極片擴散，還減小了凹部的底部到達陽極集流體的可能，有利于降低對能量密度的影響以及維持陽極活性材料層與陽極集流體之間的粘接力，有利于減小陽極活性材料層從陽極集流體上脫落的可能。
[0010]在本申請技術(shù)方案所提供的實施例中，凹部的半徑為R μm，10≤R≤60。凹部的半徑大于等于10μm且小于等于60 μm，使能夠在石墨顆粒上形成凹部，以增大石墨顆粒的表面積。
[0011]在本申請技術(shù)方案所提供的實施例中，凹部的深度為H μm，5≤H≤40，凹部的半徑大于等于5 μm且小于等于40 μm，使得凹部既能夠有效對離子和電解液起到擴散作用，又能夠減小對陽極活性材料層粘接力的影響，減小陽極活性材料層從陽極集流體上脫落的可能。
[0012]在本申請技術(shù)方案所提供的實施例中，凹部的邊緣部分凸出于第一表面的高度為h μm，3≤h≤10，既能夠使邊緣部分起到增大接觸面積的作用，又能夠減小凹部對陽極活性材料層的第一表面的粗糙度的影響，降低對陰陽極界面的影響。
[0013]在本申請技術(shù)方案所提供的實施例中，凹部在陽極活性材料層的厚度方向上的截面形狀為V形，使凹部呈錐形，便于加工，能夠降低加工難度，有利于提高凹部的加工效率。
[0014]在本申請技術(shù)方案所提供的實施例中，凹部通過激光加工工藝形成，激光加工工藝可以將陽極活性材料層上的材料消除形成凹部，使得凹部對于離子的擴散和電解液的擴散效果較好。
[0015]在本申請技術(shù)方案所提供的實施例中，陽極活性材料層還包括粘結(jié)劑，不僅能夠使陽極活性材料層能夠粘接于陽極集流體上，還能夠使陽極活性材料層中的石墨顆粒相互粘結(jié)成為一體。
[0016]在本申請技術(shù)方案所提供的實施例中，電極組件還包括陰極極片和隔膜，陽極極片、隔膜和陰極極片層疊設(shè)置，第一表面與隔膜相接。使得凹部可以直接面對隔膜，有利于提升穿梭離子的穿梭效率以及提高電解液對于極片的浸潤效果。
[0017]第二方面，本申請?zhí)峁┝艘环N電子裝置，該電子裝置包括上述任一技術(shù)方案所提供的二次電池。
[0018]本公開的實施例提供的技術(shù)方案至少帶來以下有益效果：
本申請?zhí)峁┝艘环N二次電池，其中的電極組件包括陽極極片，陽極極片包括陽極集流體和陽極活性材料層，陽極活性材料層包括陽極活性材料，陽極活性材料包括石墨，石墨的結(jié)晶度Lc≥30nm，石墨的結(jié)晶度較高，由于結(jié)晶度較高的石墨具有首效高、容量高的性能，有利于提高陽極極片的能量密度，從而提高二次電池的能量密度。陽極活性材料層包括遠離陽極集流體的第一表面，陽極活性材料層上設(shè)有貫穿第一表面的凹部，凹部不僅增加了石墨中能夠嵌入鋰離子等穿梭離子的活性位點，還能夠形成鋰離子等穿梭離子的擴散通道，有助于鋰離子等穿梭離子在陽極極片中的擴散，有利于緩解石墨在充放電過程的鋰離子等穿梭離子析出的問題；同時，凹部增加了石墨與電解液的反應(yīng)位點，有利于使石墨表層形成的固體電解質(zhì)界面膜更加致密，減少了石墨中嵌入溶劑，緩解了石墨片層的剝離，有利于緩解陽極極片的循環(huán)衰減，從而有利于緩解二次電池的循環(huán)衰減。
[0019]本申請?zhí)峁┝艘环N電子裝置，該電子裝置包括前述技術(shù)方案所提供的二次電池，由于二次電池不僅具有較高的能量密度，還能緩解穿梭離子析出和循環(huán)衰減的問題，有利于提高該電子裝置的用戶體驗。
[0020]上述說明僅是本申請技術(shù)方案的概述，為了能夠更清楚了解本申請的技術(shù)手段，而可依照說明書的內(nèi)容予以實施，并且為了讓本申請的上述和其它目的、特征和優(yōu)點能夠更明顯易懂，以下特舉本申請的具體實施方式。
附圖說明
[0021]通過閱讀下文優(yōu)選實施方式的詳細描述，各種其他的優(yōu)點和益處對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員將變得清楚明了。附圖僅用于示出優(yōu)選實施方式的目的，而并不認為是對本申請的限制。而且在整個附圖中，用相同的參考符號表示相同的部件。在附圖中：
圖1為本申請一些實施例所提供的電極組件結(jié)構(gòu)示意圖；
圖2為本申請一些實施例所提供的陽極極片的結(jié)構(gòu)示意圖；
圖3為本申請一些實施例所提供的陽極活性材料層的結(jié)構(gòu)示意圖；
圖4為本申請一些實施例所提供的凹部為孔時的陽極活性材料層的內(nèi)部結(jié)構(gòu)示意圖；
圖5為本申請一些實施例所提供的凹部為孔時的陽極活性材料層的俯視結(jié)構(gòu)示意圖；
圖6為本申請一些實施例所提供的凹部為槽時的陽極活性材料層的內(nèi)部結(jié)構(gòu)示意圖；
圖7為本申請一些實施例所提供的凹部為槽時的陽極活性材料層的俯視結(jié)構(gòu)示意圖；
圖8為本申請一些實施例所提供的凹部邊緣部分的結(jié)構(gòu)示意圖；
圖9為本申請一些實施例所提供的用電裝置的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0022]圖中：1、陽極集流體；2、陽極活性材料層；21、第一表面；22、第二表面；23、凹部；3、活性位點；4、石墨顆粒；5、陽極極片；6、陰極極片；7、陰極集流體；8、陰極活性材料層；9、隔膜；10、電極組件；101、陽極極耳；102、陰極極耳；2000、二次電池；3000、用電裝置。
具體實施方式
[0023]下面將結(jié)合附圖對本申請技術(shù)方案的實施例進行詳細的描述。以下實施例僅用于更加清楚地說明本申請的技術(shù)方案，因此只作為示例，而不能以此來限制本申請的保護范圍。
[0024]需要注意的是，除非另有說明，本申請實施例使用的技術(shù)術(shù)語或者科學(xué)術(shù)語應(yīng)當為本申請實施例所屬領(lǐng)域技術(shù)人員所理解的通常意義。
[0025]在本申請實施例的描述中，技術(shù)術(shù)語“中心”、“縱向”、“橫向”、“長度”、“寬度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“豎直”、“水平”、“頂”、“底”“內(nèi)”、“外”、“順時針”、“逆時針”、“軸向”、“徑向”、“周向”等指示的方位或位置關(guān)系為基于附圖所示的方位或位置關(guān)系，僅是為了便于描述本申請實施例和簡化描述，而不是指示或暗示所指的裝置或元件必須具有特定的方位、以特定的方位構(gòu)造和操作，因此不能理解為對本申請實施例的限制。
[0026]此外，技術(shù)術(shù)語“第一”、“第二”等僅用于描述目的，而不能理解為指示或暗示相對重要性或者隱含指明所指示的技術(shù)特征的數(shù)量。在本申請實施例的描述中，“多個”的含義是兩個以上，除非另有明確具體的限定。
[0027]在本申請實施例的描述中，除非另有明確的規(guī)定和限定，技術(shù)術(shù)語“安裝”、“相連”、“連接”、“固定”等術(shù)語應(yīng)做廣義理解，例如，可以是固定連接，也可以是可拆卸連接，或成一體；也可以是機械連接，也可以是電連接；可以是直接相連，也可以通過中間媒介間接相連，可以是兩個元件內(nèi)部的連通或兩個元件的相互作用關(guān)系。對于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員而言，可以根據(jù)具體情況理解上述術(shù)語在本申請實施例中的具體含義。
[0028]在本申請實施例的描述中，除非另有明確的規(guī)定和限定，第一特征在第二特征“上”或“下”可以是第一和第二特征直接接觸，或第一和第二特征通過中間媒介間接接觸。而且，第一特征在第二特征“之上”、“上方”和“上面”可是第一特征在第二特征正上方或斜上方，或僅僅表示第一特征水平高度高于第二特征。第一特征在第二特征“之下”、“下方”和“下面”可以是第一特征在第二特征正下方或斜下方，或僅僅表示第一特征水平高度小于第二特征。
[0029]目前，從市場形勢的發(fā)展來看，電池的應(yīng)用越加廣泛。電池不僅被應(yīng)用于水力、火力、風力和太陽能電站等儲能電源系統(tǒng)，而且還被廣泛應(yīng)用于電動自行車、電動摩托車、電動汽車等電動交通工具，以及通訊設(shè)備、軍事裝備和航空航天等多個領(lǐng)域。隨著電池應(yīng)用領(lǐng)域的不斷擴大，其市場的需求量也在不斷地擴增。
[0030]下面通過具體實施方式對本申請所提供的一種二次電池及電子裝置的技術(shù)方案進行進一步說明。
[0031]本申請一些實施例提供一種二次電池，如圖1所示，該二次電池包括電極組件10，電極組件10包括陽極極片5，如圖1和圖2所示，陽極極片5包括陽極集流體1和設(shè)于陽極集流體1上的陽極活性材料層2；陽極活性材料層2包括陽極活性材料，陽極活性材料包括石墨，石墨的結(jié)晶度為Lc nm，Lc≥30；如圖3所示，陽極活性材料層2包括遠離陽極集流體1的第一表面21，陽極活性材料層2設(shè)有貫穿第一表面21的凹部23。
[0032]二次電池可以單獨作為電源，向外輸出電能進行使用，也可以多個二次電池之間串聯(lián)或并聯(lián)或混聯(lián)形成電池組，以電池組作為電源向外輸出電能，混聯(lián)是指多個二次電池中既有串聯(lián)又有并聯(lián)。二次電池可以是鋰離子電池、鋰硫電池、鈉離子電池或鎂離子電池，但不局限于此。鋰離子電池可以指工作過程中主要依靠鋰離子在陰極極片6和陽極極片5之間移動的二次電池，鈉離子電池可以指工作過程中主要依靠鈉離子在陰極極片6和陽極極片5之間移動的二次電池，鎂離子電池可以指工作過程中主要依靠鎂離子在陰極極片6和陽極極片5之間移動的二次電池。二次電池可以呈圓柱體、扁平體、長方體或其它形狀等。下面以二次電池為鋰離子電池為例，進行進一步說明。
[0033]電極組件10作為二次電池中的重要組成部分，其中的陽極極片5包括陽極集流體1和設(shè)于陽極集流體1上的陽極活性材料層2，陽極活性材料層2可以是直接形成于陽極集流體1的表面上，也可以是陽極活性材料層2和陽極集流體1之間還設(shè)有其他功能層以實現(xiàn)預(yù)設(shè)功能。
[0034]陽極活性材料層2可以將相應(yīng)的材料通過涂布工藝涂敷于陽極集流體1上形成，未涂敷陽極活性材料層2的陽極集流體1凸出于已涂覆陽極活性材料層2的陽極集流體1，未涂敷陽極活性材料層2的陽極集流體1作為陽極極耳101。在一些實施例中，還可以通過將作為陽極極耳101的構(gòu)件通過焊接等方式連接于陽極集流體上形成陽極極耳101。在本申請的一些實施例中，陽極集流體1的材料可以為金屬銅，銅經(jīng)過加工呈銅箔以形成陽極集流體1。
[0035]陽極活性物質(zhì)材料包括的石墨是指石墨顆粒4，石墨化學(xué)性質(zhì)穩(wěn)定，耐腐蝕，耐酸堿，具有良好的導(dǎo)電性。在一些實施例中，石墨的結(jié)晶度為Lc nm，Lc≥30，結(jié)晶度大于等于30nm的石墨具有首效高、容量高的性能，有利于提高陽極極片5的能量密度，從而提高二次電池的能量密度。
[0036]石墨的結(jié)晶度指的是石墨的墨片面沿與其垂直的軸線方向堆積墨片層的厚度。其中，石墨的結(jié)晶度可以通過X射線衍射儀進行測量和計算獲得。利用X射線衍射儀測試石墨粉末的X射線衍射圖譜，掃描5°至80°，20°至30°范圍內(nèi)的衍射峰（002）對應(yīng)晶面，可得到衍射峰（002）對應(yīng)的半高寬β002，半高寬β002即為衍射峰（002）高度最大處高度達到一半時譜帶的全寬，石墨的結(jié)晶度Lc=K×λ÷β002×COSθ002，其中，K=0.089，λ=1.54182 ? ，θ002為衍射峰（002）對應(yīng)的θ 值，β002為衍射峰（002）對應(yīng)的半高寬?？蛇x地，X射線衍射儀的制造廠商為德國Bruker，型號為D8 Advance。
[0037]第一表面21為陽極活性材料層2自身結(jié)構(gòu)上的表面，該表面遠離陽極集流體1設(shè)置，設(shè)置于陽極活性材料層2上的凹部23貫穿第一表面21，使得凹部23遠離陽極集流體1，當陽極極片5置于電解液中時，電解液能夠從遠離陽極集流體1的一側(cè)通過凹部23與陽極活性材料更加充分的接觸，凹部23增加了石墨與電解液的反應(yīng)位點，有利于使石墨表層形成的固體電解質(zhì)界面膜更加致密，減少了石墨中嵌入溶劑，緩解了石墨片層的剝離，有利于緩解陽極極片5的循環(huán)衰減，從而有利于緩解二次電池的循環(huán)衰減；凹部23不僅增加了石墨中能夠嵌入鋰離子等穿梭離子的活性位點3，還能夠形成鋰離子等穿梭離子的擴散通道，有助于鋰離子等穿梭離子在陽極極片5中的擴散，有利于緩解石墨在充放電過程的鋰離子等穿梭離子析出問題。此處的穿梭離子指的是二次電池在工作時，在陰極極片6和陽極極片5之間移動的金屬離子，該金屬離子在鋰離子電池中是鋰離子，在鈉離子電池是鈉離子，在鎂離子電池中是鎂離子。
[0038]凹部23是指設(shè)置于陽極活性材料層2上的凹陷結(jié)構(gòu)，其是陽極活性材料層2從靠近第一表面21的一側(cè)向遠離第一表面21的一側(cè)凹陷形成的，需與現(xiàn)有技術(shù)中陽極活性材料層2上通過涂覆、輥壓等工序后可能存在的不平整的地方區(qū)分開。此處的凹陷可以是通過激光打孔、機械加工等方式去除材料的方式形成。
[0039]凹部23通過去除材料的方式在陽極活性材料層2中形成，通過去除材料占用空間的方式在第一表面21外側(cè)對陽極活性材料層2加工，使得凹部23為陽極活性材料層2內(nèi)部的凹陷。
[0040]在本申請的一些實施例中，陽極活性材料層2還包括粘結(jié)劑。粘結(jié)劑是指混合于形成陽極活性材料層2的材料中起到粘結(jié)作用的材料，其不僅能夠使陽極活性材料層2能夠粘接于陽極集流體1上，還能夠使陽極活性材料層2中的石墨顆粒4相互粘結(jié)成為一體。
[0041]在一些實施例中，陽極活性材料層2還包括增稠劑，增稠劑是指混合于形成陽極活性材料層2的材料中的一種材料，其用于提高物系度，使物系保持均勻的穩(wěn)定的懸浮狀態(tài)或乳濁狀態(tài)，有利于陽極活性材料層2中各種材料的均勻分布。
[0042]粘結(jié)劑包括丁苯橡膠，丁苯橡膠在陽極活性材料層2中的質(zhì)量分數(shù)為1%，增稠劑包括羧甲基纖維素鈉，羧甲基纖維素鈉在陽極活性材料層2中的質(zhì)量分數(shù)為1%，石墨在陽極活性材料層2中的質(zhì)量分數(shù)為98%。
[0043]在本申請的一些實施例中，凹部23通過激光加工工藝形成。由于激光具有能量，激光束與材料相互作用，能夠?qū)Σ牧线M行消除，以在陽極活性材料層2的第一表面21上形成凹部23，激光加工工藝不僅可以將陽極活性材料層2上的材料消除形成凹部23，使得凹部23對于離子的擴散和電解液的擴散效果較好，在去除加工部位的粘結(jié)劑的同時不會影響凹部23周圍材料的粘接強度和壓實密度。
[0044]在本申請的一些實施例中，凹部23在陽極活性材料層2的厚度方向上的截面形狀為V形。
[0045]陽極活性材料層2的厚度方向指的是圖3所示的Z方向。如圖3所示，凹部23的截面形狀呈V形是指凹部23呈錐形，凹部23在第一表面21的開口的面積大于凹部23的底部的面積，此類形狀的凹部23便于加工，能夠降低加工難度，有利于提高凹部23的加工效率。
[0046]在本申請的一些實施例中，Lc≤60。也就是說，Lc的范圍設(shè)置為30≤Lc≤60，使得石墨的結(jié)晶度大于等于30nm而小于等于60nm。該范圍內(nèi)結(jié)晶度的石墨不僅具有首效高、容量高的特點，其結(jié)晶度也不至于過高，改善循環(huán)容量保持率加速衰減的問題。
[0047]在本申請的一些實施例中，凹部23包括孔和/或槽。
[0048]如圖4和圖5所示，孔為設(shè)置于陽極活性材料層2上的孔狀結(jié)構(gòu)，其橫截面的形狀可以為圓形、三角形、正方形或多邊形，孔的橫截面的形狀還可以是其他不規(guī)則的閉合曲線，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以根據(jù)實際情況設(shè)置孔的橫截面的形狀。由于孔便于在加工過程定位，凹部23包括孔，使凹部23在加工過程中定位精確，有利于實現(xiàn)對凹部的精確控制?？梢岳斫獾氖牵鄠€孔的直徑可以設(shè)置為相同，也可設(shè)置為不同；多個孔的布置位置可以呈矩陣式排布、圓周陣列式等預(yù)設(shè)規(guī)則排布，也可以呈亂序排布，多個孔的排布方式本領(lǐng)域技術(shù)人員可以根據(jù)實際情況進行設(shè)置。
[0049]如圖6和圖7所示槽為設(shè)置于陽極活性材料層2上的槽狀結(jié)構(gòu)，其具有沿著陽極活性材料層2的布置方向的長度，槽的截面形狀可以為V字形、U字形，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以根據(jù)實際情況設(shè)置槽的截面形狀。由于槽能夠?qū)崿F(xiàn)連續(xù)加工，具有較高的加工效率，凹部23包括槽，能夠?qū)崿F(xiàn)凹部23的連續(xù)加工，有利于提高凹部23的加工效率?？梢岳斫獾氖牵鄣倪B續(xù)延伸方向可以為沿著陽極活性材料層2的長度方向布置，也可以為沿著陽極活性材料層2的寬度方向布置，陽極活性材料層2的長度方向如圖7所示的X方向，陽極活性材料層2的寬度方向如圖7所示的Y方向。可以理解的是，槽的連續(xù)延伸方向本領(lǐng)域技術(shù)人員可以根據(jù)實際情況進行設(shè)置。
[0050]在本申請的一些實施例中，凹部23的半徑為R μm，石墨的顆粒中體積累計分布為10%、50%、90%的粒徑分別為Dv10 μm、Dv50 μm、Dv90 μm，（Dv50-Dv10）≤R≤（Dv50+Dv90）。
[0051]石墨的顆粒中體積累計分布為10%的粒徑為Dv10 μm，是指粒徑小于Dv10 μm的顆粒的體積含量占全部顆粒的體積含量的10%；石墨的顆粒中體積累計分布為50%的粒徑為Dv50μm，是指粒徑小于Dv50 μm的顆粒的體積含量占全部顆粒的體積含量的50%；石墨的顆粒中體積累計分布為90%的粒徑為Dv90 μm，是指粒徑小于Dv90 μm的顆粒的體積含量占全部顆粒的體積含量的90%。
[0052]凹部23的半徑指的是與凹部23的面積等效的圓形的半徑，也就是說，將凹部23在第一表面21處的形成的圖形的面積作為等效圓形的面積，等效圓形的面積計算出的等效圓形的半徑即為凹部23的半徑。當凹部23為孔時，先測量孔在第一表面21處形成的圖形的面積，利用測量得到的面積計算出的等效圓形的半徑即為凹部23的半徑。當凹部23為槽時，先測量槽在第一表面21處形成的圖形的面積，利用測量得到的面積計算出的等效圓形的半徑即為凹部23的半徑。
[0053]石墨的顆粒的粒徑可以通過激光粒徑測試儀測量獲得，激光粒徑測試儀的型號可以為馬爾文2000，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以根據(jù)實際情況選擇合適的激光粒徑測試儀的型號。
[0054]凹部23在第一表面21處的形成的圖形的面積可以通過電荷耦合元件（CCD，Chargecoupled Device）相機獲取陽極極片5的第一表面21的圖像，通過測量圖像中凹部23的圖像的面積來獲取。
[0055]滿足條件（Dv50-Dv10）≤R≤（Dv50+Dv90）使得凹部23能夠在石墨顆粒4上形成凹部，增大了石墨顆粒4的表面積，不僅增加了石墨顆粒4上鋰離子能嵌入的活性位點3，還增加了石墨顆粒4與電解液的接觸面積，從而增加了石墨顆粒4與電解液的反應(yīng)位點，有利于在石墨表層形成更為致密的固體電解質(zhì)界面膜。
[0056]在本申請的一些實施例中，凹部23的半徑為R μm，10≤R≤60。凹部23的半徑大于等于10μm且小于等于60 μm，有利于使凹部23能夠在石墨顆粒4上形成凹部，以增大石墨顆粒4的表面積。
[0057]在本申請的一些實施例中，凹部23的深度為H μm，陽極活性材料層2的厚度為La μm，0.3Lc≤H≤0.5La。
[0058]如圖3所示，凹部23的深度是指第一表面21到凹部23的底部的距離。
[0059]凹部23的深度可以通過CCD相機對陽極極片5中陽極活性材料層2的第一表面21照射來獲取，也可以利用掃描電子顯微鏡對陽極極片5厚度方向上的切片樣本進行拍照，在掃描電子顯微鏡獲得的圖像中測量獲得。本領(lǐng)域技術(shù)人員可以根據(jù)實際情況選擇凹部23的深度的測量方法。
[0060]陽極活性材料層2的厚度指的是陽極活性材料層2的第一表面21到陽極活性材料層2到靠近陽極集流體1的第二表面22的距離。第二表面22為陽極活性材料層2自身結(jié)構(gòu)上的表面，其與第一表面21平行間隔設(shè)置，第二表面22相對于第二表面22靠近陽極集流體1設(shè)置，第一表面21和第二表面22之間形成包括陽極活性材料的陽極活性材料層2。
[0061]陽極活性材料層2的厚度可以通過測量獲得。利用萬分尺測量陽極集流體1和其上的其他功能層的厚度，獲得陽極集流體1的厚度為L1 μm，利用萬分尺測量陽極集流體1涂覆陽極活性材料層2并干燥后的厚度，獲得陽極極片5的厚度為L2 μm，則La= L2-L1。
[0062]陽極活性材料層2的厚度還可以利用掃描電子顯微鏡對陽極極片5厚度方向上的切片樣本進行拍照，在掃描電子顯微鏡獲得的圖像中測量獲得。本領(lǐng)域技術(shù)人員可以根據(jù)實際情況選擇陽極活性材料層2的厚度的測量方法。
[0063]H大于等于0.3Lc使得凹部23具有一定的深度，能夠伸入墨片層，有利于離子和電解液向陽極極片5擴散。H小于等于0.5La，減小了凹部23的底部到達陽極集流體1的可能，有利于維持陽極活性材料層2與陽極集流體1之間的粘接力，有利于減小陽極活性材料層2從陽極集流體1上脫落的可能。
[0064]在本申請的一些實施例中，凹部23的深度為H μm，5≤H≤40。
[0065]凹部23的深度大于等于5 μm且小于等于40 μm，使得凹部23既能夠有效對離子和電解液起到擴散作用，又能夠減小對陽極活性材料層2粘接力的影響，減小陽極活性材料層2從陽極集流體1上脫落的可能。
[0066]在本申請的一些實施例中，凹部23的邊緣部分凸出于第一表面21的高度為h μm，3≤h≤10。
[0067]凹部23的邊緣部分指的是凹部23在第一表面21上的開口處，如圖8所示，在陽極活性材料層2上加工凹部23時，會對陽極活性材料層2造成一定影響，使凹部23的開口處的材料發(fā)生堆積，使其凸出于第一表面21，凹部23的邊緣部分凸出于第一表面21，能夠增強凹部23對接觸面積的增大效果，有利于增加凹部23中形成的能嵌入鋰離子的活性位點3和與電解液反應(yīng)的反應(yīng)位點。凹部23的邊緣部分可以是在激光加工工藝加工凹部23時形成，由于激光具有一定的能量，熔融陽極活性材料層2時會使凹部23的開口處的材料發(fā)生堆積，使凹部23的邊緣部分凸出于第一表面21，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以通過調(diào)控激光的功率、照射時間來調(diào)整凹部23的邊緣部分凸出于第一表面21的高度。
[0068]凹部23的邊緣部分凸出于第一表面21的高度大于等于3 μm且小于等于10 μm，既能夠使邊緣部分起到增大接觸面積的作用，又能夠減小凹部23對陽極活性材料層的第一表面21的粗糙度的影響，減小對正負極界面的影響。
[0069]在本申請的一些實施例中，該二次電池中的電極組件10還包括陰極極片6和隔膜9，陽極極片5、隔膜9和陰極極片6層疊設(shè)置，第一表面21與隔膜9相接。
[0070]陰極極片6包括陰極集流體7和陰極活性材料層8，陰極活性材料層8涂敷于陰極集流體7的表面，
陰極活性材料層8可以將相應(yīng)的材料通過涂布工藝涂敷于陰極集流體7的表面形成，未涂敷陰極活性材料層8的陰極集流體7凸出于已涂覆陰極活性材料層8的陰極集流體7，未涂敷陰極活性材料層8的陰極集流體7可以作為陰極極耳102。在一些實施例中，還可以通過將作為陰極極耳102的構(gòu)件通過焊接等方式連接于陰極集流體7上形成陰極極耳102。在本申請的一些實施例中，陰極集流體7的材料可以為金屬鋁，鋁經(jīng)過加工呈鋁箔作為陰極極耳102的構(gòu)件以形成陰極集流體7。
[0071]陰極活性材料層8包括陰極活性物質(zhì)、陰極粘結(jié)劑和導(dǎo)電劑。在一些實施例中，陰極活性物質(zhì)包括氧化鋰鈷，氧化鋰鈷在陰極活性材料層8中的質(zhì)量分數(shù)為97.6%。陰極粘結(jié)劑包括聚偏氟乙烯，聚偏氟乙烯在陰極活性材料層8中的質(zhì)量分數(shù)為1.3%。導(dǎo)電劑包括導(dǎo)電炭黑，導(dǎo)電炭黑在陰極活性材料層8中的質(zhì)量分數(shù)為1.1%。優(yōu)選地，導(dǎo)電炭黑可以采用superp導(dǎo)電炭黑，其導(dǎo)電性好，具有適中的比表面積，加工性能優(yōu)越，對電化學(xué)機理沒有影響。
[0072]隔膜9能夠?qū)㈥枠O極片5與陰極極片6隔離，防止陰極極片6和陽極極片5接觸短路。在本申請的一些實施例中，隔膜9為高粘接復(fù)合膜，既能將陽極極片5與陰極極片6隔離，又具有良好的粘接力，使陽極活性材料層2與隔膜9牢固連接。
[0073]下面通過對比實驗對本申請具體實施方式所提供的二次電池的有益效果進行進一步說明。
[0074]將相關(guān)技術(shù)中未設(shè)置凹部23的陽極活性材料層2形成的陽極極片5組成的二次電池作為對比實驗的對比例中的實驗對象；將設(shè)置有凹部23的陽極活性材料層2形成的陽極極片5組成的二次電池作為對比實驗的實施例中的實驗對象。
[0075]二次電池中陰極極片6的制作方法可以為，將氧化鋰鈷、聚偏氟乙烯、導(dǎo)電炭黑按照質(zhì)量比97.6∶1.3∶1.1的比例置于N-甲基吡咯烷酮中充分攪拌混合，形成均勻的陰極漿料；然后將陰極漿料涂覆在陰極集流體7的兩個表面上形成均勻涂層，經(jīng)烘干、冷壓處理后，涂層形成陰極活性材料層8，然后在陰極集流體7焊接陰極極耳102，得到陰極極片6。
[0076]二次電池中陽極極片5的制作方法可以為，將石墨、丁苯橡膠、羧甲基纖維素鈉按照質(zhì)量比98∶1∶1的比例置于去離子水中充分攪拌混合，形成均勻的陽極漿料；然后將陽極漿料涂覆于預(yù)先涂覆有底層涂層的陽極集流體1的兩個表面上形成均勻涂層，經(jīng)烘干、冷壓后，涂層形成陽極活性材料層2，然后在陽極集流體1焊接陽極極耳101，得到陽極極片5。在采用的石墨的顆粒中Dv10=3.5、Dv50=19.8、Dv90=28.7，根據(jù)公式（Dv50-Dv10）≤R≤（Dv50+Dv90）計算可得，凹部23的半徑的范圍為16.3≤R≤48.5。使用萬分尺測得的陽極集流體1的厚度為5μm，涂布干燥后的陽極極片5厚度為150μm，陽極活性材料層2的厚度為145μm。根據(jù)公式0.3Lc≤H≤0.5La，計算凹部23的深度的范圍為10.5≤H≤75。
[0077]二次電池中隔膜9選用聚乙烯材質(zhì)的單層膜作為隔膜9。
[0078]將上述制備獲得的陰極極片6、隔膜9、陽極極片5依次疊好，使隔膜9處于陰極極片6和陽極極片5中間起到隔離的作用，并卷繞得到電極組件10。將電極組件10裝入二次電池的第一殼體中，將第二殼體扣合在第一殼體頂部，并在80℃下脫去水分，注入配置好的電解液中，再經(jīng)過封裝、靜置、化成等工序即可得到二次電池。在一些實施例中，電解液可以由碳酸乙烯酯、碳酸丙烯酯、碳酸二乙酯按照質(zhì)量比1∶1∶1的比例配置成，其中，六氟磷酸鋰的濃度為1.15mol/L。
[0079]各對比例和實施例中的陽極極片5的差異如下：
對比例1
在本對比例中，采用結(jié)晶度為30nm的石墨作為陽極活性材料制作陽極極片5，該陽極極片5上不設(shè)置凹部23，利用該陽極極片5制成的二次電池作為實驗對象。
[0080]對比例2
在本對比例中，采用結(jié)晶度為35nm的石墨作為陽極活性材料制作陽極極片5，該陽極極片5上不設(shè)置凹部23。
[0081]對比例3
在本對比例中，采用結(jié)晶度為38nm的石墨作為陽極活性材料制作陽極極片5，該陽極極片5上不設(shè)置凹部23。
[0082]對比例4
在本對比例中，采用結(jié)晶度為48nm的石墨作為陽極活性材料制作陽極極片5，該陽極極片5上不設(shè)置凹部23。
[0083]對比例5
在本對比例中，采用結(jié)晶度為60nm的石墨作為陽極活性材料制作陽極極片5，該陽極極片5上不設(shè)置凹部23。
[0084]對比例6
在本對比例中，采用結(jié)晶度為65nm的石墨作為陽極活性材料制作陽極極片5，該陽極極片5上不設(shè)置凹部23。
[0085]對比例7
在本對比例中，采用結(jié)晶度為25nm的石墨作為陽極活性材料制作陽極極片5，該陽極極片5上不設(shè)置凹部23。
[0086]對比例8
在本對比例中，采用結(jié)晶度為25nm的石墨作為陽極活性材料制作陽極極片5，該陽極極片5上設(shè)置凹部23，凹部23的半徑為20μm，凹部23的深度為15μm。
[0087]實施例1
在本實施例中，采用結(jié)晶度為30nm的石墨作為陽極活性材料制作陽極極片5，該陽極極片5的陽極活性材料層2上設(shè)置凹部23，凹部23的半徑為20μm，凹部23的深度為15μm。
[0088]實施例2
在本實施例中，采用結(jié)晶度為35nm的石墨作為陽極活性材料制作陽極極片5，該陽極極片5的陽極活性材料層2上設(shè)置凹部23，凹部23的半徑為20μm，凹部23的深度為15μm。
[0089]實施例3
在本實施例中，采用結(jié)晶度為38nm的石墨作為陽極活性材料制作陽極極片5，該陽極極片5的陽極活性材料層2上設(shè)置凹部23，凹部23的半徑為20μm，凹部23的深度為15μm。
[0090]實施例4
在本實施例中，采用結(jié)晶度為48nm的石墨作為陽極活性材料制作陽極極片5，該陽極極片5的陽極活性材料層2上設(shè)置凹部23。陽極活性材料層2上的凹部23的半徑設(shè)為20μm，凹部23的深度為15μm。
[0091]實施例5
在本實施例中，采用結(jié)晶度為60nm的石墨作為陽極活性材料制作陽極極片5，該陽極極片5的陽極活性材料層2上設(shè)置凹部23。陽極活性材料層2上的凹部23的半徑設(shè)為20μm，凹部23的深度為15μm。
[0092]實施例6
在本實施例中，采用結(jié)晶度為65nm的石墨作為陽極活性材料制作陽極極片5，該陽極極片5的陽極活性材料層2上設(shè)置凹部23。陽極活性材料層2上的凹部23的半徑設(shè)為20μm，凹部23的深度為15μm。
[0093]實施例7
在本實施例中，采用結(jié)晶度為35nm的石墨作為陽極活性材料制作陽極極片5，該陽極極片5的陽極活性材料層2上設(shè)置凹部23。陽極活性材料層2上的凹部23的半徑設(shè)為15μm，凹部23的深度為15μm。
[0094]實施例8
在本實施例中，采用結(jié)晶度為35nm的石墨作為陽極活性材料制作陽極極片5，該陽極極片5的陽極活性材料層2上設(shè)置凹部23。陽極活性材料層2上的凹部23的半徑設(shè)為16.3μm，凹部23的深度為15μm。
[0095]實施例9
在本實施例中，采用結(jié)晶度為35nm的石墨作為陽極活性材料制作陽極極片5，該陽極極片5的陽極活性材料層2上設(shè)置凹部23。陽極活性材料層2上的凹部23的半徑設(shè)為25μm，凹部23的深度為15μm。
[0096]實施例10
在本實施例中，采用結(jié)晶度為35nm的石墨作為陽極活性材料制作陽極極片5，該陽極極片5的陽極活性材料層2上設(shè)置凹部23。陽極活性材料層2上的凹部23的半徑設(shè)為28μm，凹部23的深度為15μm。
[0097]實施例11
在本實施例中，采用結(jié)晶度為35nm的石墨作為陽極活性材料制作陽極極片5，該陽極極片5的陽極活性材料層2上設(shè)置凹部23。陽極活性材料層2上的凹部23的半徑設(shè)為32μm，凹部23的深度為15μm。
[0098]實施例12
在本實施例中，采用結(jié)晶度為35nm的石墨作為陽極活性材料制作陽極極片5，該陽極極片5的陽極活性材料層2上設(shè)置凹部23。陽極活性材料層2上的凹部23的半徑設(shè)為35μm，凹部23的深度為15μm。
[0099]實施例13
在本實施例中，采用結(jié)晶度為35nm的石墨作為陽極活性材料制作陽極極片5，該陽極極片5的陽極活性材料層2上設(shè)置凹部23。陽極活性材料層2上的凹部23的半徑設(shè)為40μm，凹部23的深度為15μm。
[0100]實施例14
在本實施例中，采用結(jié)晶度為35nm的石墨作為陽極活性材料制作陽極極片5，該陽極極片5的陽極活性材料層2上設(shè)置凹部23。陽極活性材料層2上的凹部23的半徑設(shè)為43μm，凹部23的深度為15μm。
[0101]實施例15
在本實施例中，采用結(jié)晶度為35nm的石墨作為陽極活性材料制作陽極極片5，該陽極極片5的陽極活性材料層2上設(shè)置凹部23。陽極活性材料層2上的凹部23的半徑設(shè)為45μm，凹部23的深度為15μm。
[0102]實施例16
在本實施例中，采用結(jié)晶度為35nm的石墨作為陽極活性材料制作陽極極片5，該陽極極片5的陽極活性材料層2上設(shè)置凹部23。陽極活性材料層2上的凹部23的半徑設(shè)為48.5μm，凹部23的深度為15μm。
[0103]實施例17
在本實施例中，采用結(jié)晶度為35nm的石墨作為陽極活性材料制作陽極極片5，該陽極極片5的陽極活性材料層2上設(shè)置凹部23。陽極活性材料層2上的凹部23的半徑設(shè)為50μm，凹部23的深度為15μm。
[0104]實施例18
在本實施例中，采用結(jié)晶度為35nm的石墨作為陽極活性材料制作陽極極片5，該陽極極片5的陽極活性材料層2上設(shè)置凹部23。陽極活性材料層2上的凹部23的半徑設(shè)為32μm，凹部23的深度為9μm。
[0105]實施例19
在本實施例中，采用結(jié)晶度為35nm的石墨作為陽極活性材料制作陽極極片5，該陽極極片5的陽極活性材料層2上設(shè)置凹部23。陽極活性材料層2上的凹部23的半徑設(shè)為32μm，凹部23的深度為10.5μm。
[0106]實施例20
在本實施例中，采用結(jié)晶度為35nm的石墨作為陽極活性材料制作陽極極片5，該陽極極片5的陽極活性材料層2上設(shè)置凹部23。陽極活性材料層2上的凹部23的半徑設(shè)為32μm，凹部23的深度為25μm。
[0107]實施例21
在本實施例中，采用結(jié)晶度為35nm的石墨作為陽極活性材料制作陽極極片5，該陽極極片5的陽極活性材料層2上設(shè)置凹部23。陽極活性材料層2上的凹部23的半徑設(shè)為32μm，凹部23的深度為35μm。
[0108]實施例22
在本實施例中，采用結(jié)晶度為35nm的石墨作為陽極活性材料制作陽極極片5，該陽極極片5的陽極活性材料層2上設(shè)置凹部23。陽極活性材料層2上的凹部23的半徑設(shè)為32μm，凹部23的深度為45μm。
[0109]實施例23
在本實施例中，采用結(jié)晶度為35nm的石墨作為陽極活性材料制作陽極極片5，該陽極極片5的陽極活性材料層2上設(shè)置凹部23。陽極活性材料層2上的凹部23的半徑設(shè)為32μm，凹部23的深度為55μm。
[0110]實施例24
在本實施例中，采用結(jié)晶度為35nm的石墨作為陽極活性材料制作陽極極片5，該陽極極片5的陽極活性材料層2上設(shè)置凹部23。陽極活性材料層2上的凹部23的半徑設(shè)為32μm，凹部23的深度為75μm。
[0111]實施例25
在本實施例中，采用結(jié)晶度為35nm的石墨作為陽極活性材料制作陽極極片5，該陽極極片5的陽極活性材料層2上設(shè)置凹部23。陽極活性材料層2上的凹部23的半徑設(shè)為32μm，凹部23的深度為80μm。
[0112]對上述對比例和實施例中的二次電池進行析鋰界面比較和容量保持率測試。
[0113]析鋰界面的比較方法為：在測試環(huán)境溫度為25℃下，對比例和實施例的二次電池均使用相同的充電流程循環(huán)充放電10次，再拆解二次電池對比觀察陽極極片5，以觀察得到的析鋰界面情況。為了對析鋰界面的析鋰情況進行描述，現(xiàn)對析鋰情況進行分級，通過操作人員肉眼觀察，若陽極極片5的邊沿或拐角位置出現(xiàn)斷續(xù)的點狀析鋰，則判定陽極極片5出現(xiàn)輕微析鋰；若陽極極片5的端部位置或邊沿位置出現(xiàn)連續(xù)析鋰，則判定陽極極片5出現(xiàn)析鋰；若陽極極片5的主體出現(xiàn)大面積連續(xù)析鋰，則判定陽極極片5出現(xiàn)嚴重析鋰。
[0114]表1為本申請對比實驗中對比例和實施例中的二次電池的析鋰情況和容量保持率的示例。
[0115]表1
二次電池的容量保持率的計算方法為：在測試環(huán)境溫度25℃下，對比例和實施例的二次電池均使用相同的充電流程循環(huán)充放電500次，再將二次電池循環(huán)充放電500次后的放電容量除以其在循環(huán)第1次充電流程時的放電容量以得到容量保持率。
[0116]其中，充電流程的步驟如下：
S1、以2C的充電倍率對二次電池進行恒流充電，直至二次電池的電壓達到4.5V；
S2、以充電電壓為4.5V對二次電池進行恒壓充電，直至充電倍率達到0.05C；
S3、將二次電池靜置5分鐘；
S4、以0.5C的放電倍率對二次電池進行恒流放電，直至二次電池的電壓達到3.0V；
S5、將二次電池靜置5分鐘。
[0117]執(zhí)行完上述步驟即為完成一次充電流程。
[0118]通過表1，將實施例1至實施例6和對比例1至對比例8的實驗結(jié)果進行比較可知：本申請具體實施方式所提供的在陽極極片5上設(shè)置凹部23的技術(shù)方案，可以有效改善采用結(jié)晶度大于30nm的石墨制成的陽極極片5制成的二次電池的循環(huán)充電后的容量保持率，實施例1至實施例6中二次電池的析鋰情況都得到了有效改善，這是由于凹部增加了高結(jié)晶度石墨與電解液的反應(yīng)位點和鋰離子的擴散通道，使得高結(jié)晶度石墨表層形成的固體電解質(zhì)界面膜更加致密，緩解了溶劑嵌入高結(jié)晶度石墨導(dǎo)致石墨片層的剝離的問題，從而緩解了陽極極片的循環(huán)衰減，進而緩解了二次電池的循環(huán)衰減。而且進一步可以看出，當結(jié)晶度不大于60nm時，改善效果更好。
[0119]對比實施例4至14可知，當滿足（Dv50-Dv10）≤R≤（Dv50+Dv90）時，可以降低析鋰的風險并獲得較好的容量保持率，且可以降低活性材料的損失。此范圍保證了凹部在單個石墨顆粒上盡可能創(chuàng)造更多的活性位點，增加了表層石墨顆粒的比表面積，從而增加了石墨與電解液的反應(yīng)位點，有利于的鋰離子的嵌入和脫出，有效改善所制備的二次電池的析鋰和循環(huán)性能。
[0120]對比實施例15至22可知，當滿足0.3Lc≤H≤0.5La時，可以有效促進電解液浸潤，進一步增加石墨顆粒與電解液的接觸面積，有利于所制成的二次電池充放電過程中的脫嵌鋰過程的進行。
[0121]如圖9所示，本申請實施例還提供一種使用二次電池2000作為電源的電子裝置3000，電子裝置3000可以是手機、便攜式設(shè)備、筆記本電腦、電動玩具和電動工具等等。電動工具包括金屬切削電動工具、清潔工具等，例如，電鉆、電動扳手、吸塵器、掃地機器人等等。本申請實施例對上述電子裝置3000不做特殊限制。
[0122]最后應(yīng)說明的是：以上各實施例僅用以說明本申請的技術(shù)方案，而非對其限制；盡管參照前述各實施例對本申請進行了詳細的說明，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員應(yīng)當理解：其依然可以對前述各實施例所記載的技術(shù)方案進行修改，或者對其中部分或者全部技術(shù)特征進行等同替換；而這些修改或者替換，并不使相應(yīng)技術(shù)方案的本質(zhì)脫離本申請各實施例技術(shù)方案的范圍，其均應(yīng)涵蓋在本申請的權(quán)利要求和說明書的范圍當中。尤其是，只要不存在結(jié)構(gòu)沖突，各個實施例中所提到的各項技術(shù)特征均可以任意方式組合起來。本申請并不局限于文中公開的特定實施例，而是包括落入權(quán)利要求的范圍內(nèi)的所有技術(shù)方案。
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二次電池及電子裝置.pdf
聲明：
“二次電池及電子裝置” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究，如用于商業(yè)用途，請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)
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編輯：中冶有色技術(shù)網(wǎng)
來源：寧德新能源科技有限公司
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2025年03月25日 ~ 27日 
