本發(fā)明涉及燒結(jié)技術(shù)領(lǐng)域,且公開了一種中低硅燒結(jié)技術(shù),包括以下步驟:1)首先,逐步將SiO2為≥7.5%的巴粗使用完后,接著采購的巴西粗粉SiO2控制在≤7.5%,降低配礦硅到5?6水平,來進(jìn)行實(shí)驗(yàn);2)為保證生產(chǎn)技術(shù)攻關(guān)的嚴(yán)謹(jǐn)性、科學(xué)性和穩(wěn)定性,此試燒驗(yàn)證過程從小高爐燒結(jié)礦開始進(jìn)行。該中低硅燒結(jié)技術(shù),通過先利用中硅巴粗驗(yàn)證后,接著利用CSN巴粗進(jìn)行,再用中硅巴粗,慢慢降低礦硅到5?6水平,來進(jìn)行多次驗(yàn)證,使驗(yàn)證結(jié)果更加嚴(yán)謹(jǐn),此驗(yàn)證先利用小高爐燒結(jié)礦開始進(jìn)行,然后對整個生產(chǎn)和高爐使用過程的生產(chǎn)參數(shù)、燒結(jié)礦轉(zhuǎn)鼓、全粒級、低溫還原粉化指數(shù)RDI和熔滴性能等冶金性能數(shù)據(jù)進(jìn)行統(tǒng)計(jì)分析,進(jìn)行效果驗(yàn)證檢測,達(dá)到了降低熔劑消耗的目的。
聲明:
“中低硅燒結(jié)技術(shù)” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)