權(quán)利要求 1.一種透光金屬材料，其特征在于，包括第一金屬和第二金屬，所述第一金屬包括Pt、Pd、Ir或Ru中的至少一種，所述第二金屬包括銀。 2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的透光金屬材料，其特征在于，所述透光金屬材料包括依次設(shè)置的第一金屬層和第二金屬層，所述第一金屬層包括Pt、Pd、Ir或Ru中的至少一種，所述第二金屬層包括銀。 3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的透光金屬材料，其特征在于，所述第一金屬層的厚度為20nm以下;和/或，所述第二金屬層的厚度為20nm以下;和/或，所述第二金屬層的制備原料包括前驅(qū)體Ⅰ和反應物Ⅰ，所述前驅(qū)體Ⅰ包括Ag(piv)PEt3、Ag(piv)PBu3、Ag(fod)PEt3或Ag(hfac)COD中的至少一種，所述反應物Ⅰ包括H2O、O2、O3、NH3、H2、NH3等離子體、H2等離子體或O2等離子體中的至少一種。 4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的透光金屬材料，其特征在于，所述第一金屬層和第二金屬層形成膜層的導電率為20μΩ·cm以下;和/或，所述第一金屬層和第二金屬層形成膜層的透光率為95%以上。 5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的透光金屬材料，其特征在于，所述第一金屬層包括Pt層、Pd層、Ir層或Ru層中的至少一種;和/或，所述第一金屬層通過原子層沉積技術(shù)制備得到。 6.一種透光金屬材料的制備方法，其特征在于，包括如下步驟：于第一金屬層的表面通過原子層沉積技術(shù)制備得到第二金屬層，得到所述透光金屬材料;所述第一金屬層包括Pt、Pd、Ir或Ru中的至少一種，所述第二金屬層包括銀。 7.一種超低反增透膜，其特征在于，包括權(quán)利要求1~5任一項所述的透光金屬材料或權(quán)利要求6所述的制備方法制得的透光金屬材料。 8.權(quán)利要求1~5任一項所述的透光金屬材料或權(quán)利要求6所述的制備方法制得的透光金屬材料或權(quán)利要求7所述的超低反增透膜在光學器件、光電器件或柔性電子器件中的應用。 9.一種光學器件，其特征在于，包括權(quán)利要求1~5任一項所述的透光金屬材料或權(quán)利要求6所述的制備方法制得的透光金屬材料。 10.一種柔性電子器件，其特征在于，包括權(quán)利要求1~5任一項所述的透光金屬材料或權(quán)利要求6所述的制備方法制得的透光金屬材料。 說明書