權(quán)利要求 1.一種高循環(huán)穩(wěn)定性的硅碳負(fù)極材料，其特征在于，所述硅碳負(fù)極材料以碳為基體，碳基體中均勻分散有硅內(nèi)核顆粒，所述硅內(nèi)核顆粒表層為硅和金屬合金層，所述硅和金屬合金層表面原位生長有碳化硅層。 2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高循環(huán)穩(wěn)定性的硅碳負(fù)極材料，其特征在于，所述金屬合金層中的金屬選自銅、鎂、鋁、錫、銀、金中的一種或多種。 3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高循環(huán)穩(wěn)定性的硅碳負(fù)極材料，其特征在于，所述硅碳負(fù)極材料的外表面有無機(jī)物包覆層，所述無機(jī)物包覆層為無機(jī)含鋁化合物;所述無機(jī)物包覆層的厚度為5~30nm。 4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高循環(huán)穩(wěn)定性的硅碳負(fù)極材料，其特征在于，所述硅和金屬合金層的厚度為10~20nm，所述碳化硅層的厚度為5~10nm。 5.一種如權(quán)利要求1-4中任一項(xiàng)所述的高循環(huán)穩(wěn)定性的硅碳負(fù)極材料的制備方法，其特征在于，包括以下步驟： S1、將納米硅和納米金屬粉末混合均勻后進(jìn)行表面合金化處理，得到Si/金屬Si合金納米顆粒; S2、將步驟S1得到的納米顆粒與樹脂類材料混合均勻，然后在真空爐中經(jīng)600~850℃、真空度0.01~5Pa的條件下進(jìn)行熱處理，得到硅碳中間體粉末; S3、將步驟S2中得到的硅碳中間體粉末過篩后得到高循環(huán)穩(wěn)定性的硅碳負(fù)極材料。 6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的高循環(huán)穩(wěn)定性的硅碳負(fù)極材料的制備方法，其特征在于，步驟S1中，所述納米硅的單顆粒的中值粒徑為20~500nm，所述納米金屬粉末的中值粒徑為10nm~1μm，所述納米硅與納米金屬粉末的重量比為20:1~200:1;所述納米硅和納米金屬粉末在等離子球磨機(jī)中進(jìn)行表面合金化，所述等離子球磨機(jī)的放電頻率為7~15kHz，轉(zhuǎn)速為500~1500rpm。 7. 根據(jù)權(quán)利要求5所述的高循環(huán)穩(wěn)定性的硅碳負(fù)極材料的制備方法，其特征在于，步驟S2中，所述樹脂類材料選自酚醛樹脂、環(huán)氧樹脂、丙烯酸樹脂中的一種或多種，所述樹脂類材料按照納米顆粒與樹脂類材料的質(zhì)量比為1:1~1:5加入;將步驟S1得到的納米顆粒與樹脂類材料混合均勻并干燥、破碎，干燥溫度為100~200℃，干燥時(shí)間為24~48h;破碎后的中值粒徑為5~20 μm。 8.根據(jù)權(quán)利要求5所述的高循環(huán)穩(wěn)定性的硅