權(quán)利要求 1.一種鈣鈦礦半導(dǎo)體器件，所述半導(dǎo)體器件采用透明玻璃襯底，其特征在于，所述鈣鈦礦半導(dǎo)體器件的結(jié)構(gòu)自透明玻璃襯底而上依次為：第一透明導(dǎo)電氧化物層、鈣鈦礦層、量子點(diǎn)摻雜層、電子選擇層、電子傳輸層、緩沖層、第二透明導(dǎo)電氧化物層; 所述第一透明導(dǎo)電氧化物層和第二透明導(dǎo)電氧化物層均采用ITO;所述鈣鈦礦層采用CH3NH3PbI3，所述量子點(diǎn)摻雜層采用CdSe量子點(diǎn)進(jìn)行摻雜;所述電子選擇層采用Bi2Se3薄膜材料。 2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種鈣鈦礦半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述電子傳輸層為TiO2薄膜，厚度為10-20納米;所述緩沖層為SnO2薄膜，厚度為10-20納米。 3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種鈣鈦礦半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述Bi2Se3薄膜的厚度為20-50納米。 4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的鈣鈦礦半導(dǎo)體器件，其中，所述量子點(diǎn)摻雜層中CdSe量子點(diǎn)的粒徑范圍為2-5納米，厚度為5-10納米。 5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的鈣鈦礦半導(dǎo)體器件，其中，所述第一透明導(dǎo)電氧化物層和第二透明導(dǎo)電氧化物層的厚度均為100-200納米。 6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的鈣鈦礦半導(dǎo)體器件，其中，所述鈣鈦礦層的厚度為300-800納米。 7.一種如權(quán)利要求1至6中任一項(xiàng)所述的鈣鈦礦半導(dǎo)體器件的制備方法，其特征在于，所述制備方法包括以下步驟： a)襯底處理：提供透明玻璃襯底，依次在丙酮、乙醇和去離子水中超聲清洗，每次5分鐘，80℃下烘干; b)第一透明導(dǎo)電氧化物層的沉積：在玻璃襯底上通過射頻磁控濺射法沉積ITO層，濺射功率50W，氬氣流量50sccm，室溫下沉積20-30分鐘; c)鈣鈦礦層的沉積：在ITO層上通過旋涂法以3000rpm的速度旋涂CH3NH3PbI3溶液，旋涂時(shí)間20-30秒，沉積厚度為300-800納米的CH3NH3PbI3溶液，隨后在100℃下退火10分鐘; d)量子點(diǎn)摻雜層的形成：以2000rpm的速度旋涂2-10秒，將CdSe量子點(diǎn)溶液涂覆于鈣鈦礦層表面，在100℃下退火20分鐘，形成均勻的CdSe量子點(diǎn)摻雜層; e)電子選擇層的沉積：通過真空熱蒸鍍法在量子點(diǎn)摻雜層上沉積的Bi2Se3層，蒸鍍