權利要求 1.一種單晶硅金剛線切割廢料制備納米硅粉方法，其特征在于，包括以下步驟： S1：將單晶硅金剛線切割廢料溶于無水乙醇中，配置成懸浮液，將懸浮液經過雙動力臥式砂磨系統(tǒng)進行多級循環(huán)砂磨處理，得到漿料，其中，在砂磨前與砂磨過程中分別加入分散劑; S2：向S1中砂磨所得的漿料中加入分散劑，并進行噴霧干燥處理，以獲得干燥的硅粉; S3：將硅粉進行粉碎解聚處理，再進行磁選分離去除硅表面的金屬，得到納米硅粉。 2.根據權利要求1所述的一種單晶硅金剛線切割廢料制備納米硅粉方法，其特征在于，所述S1中單晶硅金剛線切割廢料與無水乙醇的質量比1:1~1:10。 3.根據權利要求1所述的一種單晶硅金剛線切割廢料制備納米硅粉方法，其特征在于，所述S1中的雙動力臥式砂磨系統(tǒng)是由研磨物料動力系統(tǒng)與分離物料動力系統(tǒng)組成的一體單罐式砂磨系統(tǒng)，具體為在研磨罐中先研磨單晶硅金剛線切割廢料，再在研磨罐中進行離心分離廢料和研磨介質，其中，多級循環(huán)砂磨均在同一罐中進行砂磨。 4.根據權利要求1所述的一種單晶硅金剛線切割廢料制備納米硅粉方法，其特征在于，所述S1中多級循環(huán)砂磨為三級循環(huán)砂磨，每級循環(huán)砂磨的研磨介質為0.1-1 mm的氧化鋯珠，砂磨轉數為1000~1350 rpm，一級砂磨時間為3~7.5 h，二級砂磨時間為7~15 h，三級砂磨時間為10~15 h。 5.根據權利要求1所述的一種單晶硅金剛線切割廢料制備納米硅粉方法，其特征在于，所述S2中噴霧干燥進口溫度為180-220℃，出口溫度為80-100℃。 6.根據權利要求1所述的一種單晶硅金剛線切割廢料制備納米硅粉方法，其特征在于，所述S3中將硅粉進行粉碎解聚處理，具體為將團聚硅粉進行打散還原至納米粒度，解聚設備為氣流粉碎機;所述硅表面的金屬包括Fe、Ni、Ca、Al、Zn，磁選設備為干法磁分離機。 7.根據權利要求1所述的一種單晶硅金剛線切割廢料制備納米硅粉方法，其特征在于，所述S1與S2中的分散劑為十六烷基三甲基溴化銨、六偏磷酸鈉、聚乙烯吡絡烷酮、三乙醇胺、聚乙二醇2000、羧甲基纖維素鈉、焦磷酸鈉、檸檬酸鈉、十二烷基苯磺酸鈉、聚醚多元醇中的一種或多種混合。 8.根據權利要求1所述的一種