GH4742合金是一種高性能難變形的高溫合金渦輪盤材料,具有優(yōu)異的抗燃?xì)鉄岣g能力和耐高溫性能,成為國產(chǎn)船用燃機(jī)高壓渦輪盤的首選材料[1~3]
但是,新一代大功率燃?xì)廨啓C(jī)需要更大尺寸和更高性能的GH4742合金渦輪盤
為了提高GH4742合金的高溫強(qiáng)度,必須提高γ'形成元素Al、Ti、Nb的含量,Al、Ti含量達(dá)到上限的2.8%使γ'相的含量達(dá)到~39%
γ'相的增多顯著影響GH4742合金的組織性能[4],特別是γ'相附近回溶的固溶溫度[5]
在1080℃亞固溶處理時(shí)未溶解的γ'相阻礙γ晶粒的長大,晶粒細(xì)小的基體具有良好的室溫力學(xué)性能
但是,晶粒尺寸細(xì)小則晶界較多,成為高溫下裂紋擴(kuò)展的薄弱環(huán)節(jié),使合金的高溫性能降低
同時(shí),較低的固溶溫度不能通過靜態(tài)再結(jié)晶消除殘留的粗大變形晶粒
這些殘留的變形晶粒內(nèi)大量的位錯(cuò),在高溫高應(yīng)力下通過滑移或攀移使基體軟化而斷裂[6]
同時(shí),亞固溶處理時(shí)未能通過再結(jié)晶消除變形的粗大晶粒,其晶粒尺寸分布不均勻使晶粒交界處易產(chǎn)生應(yīng)力集中而產(chǎn)生裂紋,使合金的高溫性能降低[7]
在1120℃過固溶處理時(shí)γ'相發(fā)生溶解,使γ'相對(duì)晶粒的釘扎減弱,基體粗大的晶粒使其室溫力學(xué)性能顯著降低
但是,晶粒尺寸增大導(dǎo)致晶界界面減少,使合金的高溫性能明顯提高
鑒于此,本文研究固溶溫度對(duì)GH4742合金的組織、性能和γ'相的影響規(guī)律,通過優(yōu)化固溶工藝使GH4742合金同時(shí)具有良好的室溫和高溫力學(xué)性能
本文研究在不同固溶溫度條件下基體內(nèi)的亞結(jié)構(gòu)、γ'相以及晶粒尺寸的演變規(guī)律,統(tǒng)計(jì)不同固溶溫度下GH4742合金基體中不同類型γ'相的體積分?jǐn)?shù)、尺寸以及晶粒尺寸,計(jì)算γ'相的切過和繞過機(jī)制轉(zhuǎn)換的臨界半徑,建立γ'相析出強(qiáng)化模型以及晶界強(qiáng)化模型,在此基礎(chǔ)上深入分析不同固溶溫度條件下其室溫和高溫力學(xué)性能的變化規(guī)律以及主要影響因素
1 實(shí)驗(yàn)方法
實(shí)驗(yàn)用材料為GH4742渦輪盤試環(huán),其化學(xué)分列于表1
對(duì)實(shí)驗(yàn)用材料進(jìn)行固溶+時(shí)效熱處理:先將試樣分別在溫度為1080、1100、1120℃的箱式爐中固溶8 h后空冷到室溫,然后在780℃時(shí)效16 h
按照國標(biāo)GB/T228.1-2010、GB/T2039-2012和GB/T2039-2012的要求對(duì)熱處理試樣機(jī)械加工后進(jìn)行室溫拉伸、高溫拉伸和持久實(shí)驗(yàn)
Table 1
表1
表1實(shí)驗(yàn)用GH4742合金的化學(xué)成分
Table 1Chemical composition of GH4742 superalloy (mass fraction, %)
Component
|
C
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Si
|
Mn
|
P
|
S
|
Cr
|
Mo
|
Co
|
Al
|
Ti
|
Nb
|
GH4742
|
0.05
|
0.039
|
<0.005
|
<0.005
|
<0.004
|
13.97
|
4.88
|
10
|
2.71
|
2.80
|
2.60
|
使用150 mL H3PO4+10 mL H2SO4+15 g CrO3混合溶液對(duì)試樣電解侵蝕,電解電壓為 10 V、電解時(shí)間為10 s
用JSM-7800F型掃描電鏡(SEM)觀察不同固溶溫度條件下試樣中析出的γ'相的形貌
在10%(體積分?jǐn)?shù))高氯酸酒精溶液中制備電解拋光樣品(拋光時(shí)間為10 s,電壓為18 V);用Oxford Nordlys電子背散射衍射(EBSD)測(cè)定不同固溶溫度試樣的大小角度晶界、孿晶界比例以及晶粒尺寸,掃描區(qū)域?yàn)?00 μm×600 μm,步長為1 μm
透射試樣經(jīng)機(jī)械減薄后在-20℃、35 V 高氯酸乙醇溶液進(jìn)行“雙噴冶減薄,用Tecnai F20透射電鏡觀察不同固溶條件下試樣中的亞結(jié)構(gòu)
2 實(shí)驗(yàn)結(jié)果2.1 GH4742合金的力學(xué)性能
圖1給出了不同工藝條件下GH4742合金試樣的應(yīng)力-應(yīng)變曲線
可以看出,隨著固溶溫度的提高試樣的室溫強(qiáng)度降低,固溶溫度高于1120℃的試樣其室溫強(qiáng)度顯著降低,但是固溶溫度對(duì)室溫延伸率和斷面收縮率的影響較小,如圖1a所示
與室溫強(qiáng)度的變化規(guī)律相反,隨著固溶溫度的提高合金的高溫強(qiáng)度提高
固溶溫度高于1100℃的試樣其高溫強(qiáng)度明顯提高,但是高溫延伸率和斷面收縮率隨著固溶溫度的提高不斷降低,如圖1b所示
圖1
圖1不同固溶溫度下GH4742合金的應(yīng)力-應(yīng)變曲線
Fig.1Stress-strain curves of GH4742 superalloy under different solution temperature (a) Room temperature; (b) 650℃
圖2給出了固溶溫度對(duì)GH4742合金持久性能的影響
可以看出,經(jīng)過固溶處理后的合金其持久性能明顯提高,且隨著固溶溫度的提高其持久斷裂時(shí)間顯著增加,如圖2a所示
隨著固溶溫度的提高延伸率和斷面收縮率不斷降低,如圖2b所示
圖2
圖2固溶溫度對(duì)GH4742合金持久性能的影響
Fig.2Effect of solution temperature on rupture properties of GH4742 superalloy (a) creep rupture time; (b) plasticity index
2.2 GH4742合金的EBSD 晶界分布
圖3給出了不同工藝條件GH4742合金的EBSD晶界分布,圖中黑色為大角度晶界HAGB(High-angle grain boundaries, >15°),紅色為小角度晶界LAGB(Low-angle grain boundaries, 2°~15°),綠色為Σ3晶界,紫色為Σ9晶界,藍(lán)色為Σ27晶界
從圖3可以看出,在鍛態(tài)GH4742合金基體中,未發(fā)生動(dòng)態(tài)再結(jié)晶的變形晶粒內(nèi)分布著大量的小角度晶界,而發(fā)生動(dòng)態(tài)再結(jié)晶的細(xì)小晶粒內(nèi)有大量的孿晶界,如圖3a所示
在1080℃固溶處理后,基體中仍然保留著大量未發(fā)生再結(jié)晶的變形晶粒,但是變形晶粒內(nèi)的小角度晶界比例明顯降低,如圖3b所示;固溶溫度為1100℃時(shí)未發(fā)生再結(jié)晶的變形晶粒的比例明顯降低,晶粒尺寸增大,如圖3c所示;固溶溫度為1120℃時(shí)未發(fā)生再結(jié)晶的變形晶粒消失,晶粒尺寸顯著增大,且隨著晶粒的長大孿晶界顯著增加,如圖3d所示
表2列出了用EBSD統(tǒng)計(jì)的不同工藝條件下的EBSD晶界比例和有效晶粒尺寸
從表2可以看出,固溶溫度為1080℃時(shí)LAGB比例略微降低,Σ3孿晶界比例提高,而Σ9晶界、Σ27晶界的比例和晶粒尺寸變化較小;隨著固溶溫度的提高LAGB比例顯著降低,孿晶界比例、有效晶粒尺寸顯著增加
圖3
圖3不同工藝條件的試樣的EBSD 晶界分布
Fig.3EBSD grain boundary distribution map of the sample under different process (a) forged; (b) 1080℃+780℃; (c) 1100℃+780℃; (d) 1120℃+780℃
Table 2
表2
表2不同工藝條件下EBSD晶界比例以及晶粒尺寸
Table 2Proportion of EBSD grain boundary and grain size under different process
|
GB/%
|
|
CSL /%
|
|
Grain size /μm
|
|
HAGB
|
LAGB
|
|
CSL Σ3
|
CSL Σ9
|
CSL Σ27
|
|
Forged
|
79.9
|
20.1
|
|
10.2
|
0.52
|
0.19
|
|
10.7
|
1080
|
81.3
|
18.7
|
|
13.2
|
0.76
|
0.19
|
|
11.0
|
1100
|
86.6
|
13.4
|
|
31.5
|
1.56
|
0.35
|
|
20.6
|
1120
|
96.8
|
3.2
|
|
58.6
|
1.51
|
0.22
|
|
111.2
|
2.3 GH4742合金中 γ′ 相的形貌
圖4給出了不同工藝條件對(duì)GH4742合金中γ'相的影響
可以看出,鍛態(tài)GH4742合金基體中分布著大量的一次和二次γ'相以及少量的三次γ'相,如圖4a所示;在1080℃固溶空冷后基體中仍然有大量未溶解的粗大一次γ'相和冷卻過程中形成的二次γ'相和三次γ'相,如圖4b所示
隨著固溶溫度的提高在1100℃固溶空冷后粗大的一次γ'相明顯溶解,基體主要是少量一次γ'相+二次γ'相+三次γ'相,如圖4c所示;在1120℃固溶空冷后基體中的一次γ'相已全部溶解,基體主要為二次γ'相+三次γ'相,如圖4d所示
圖4
圖4不同工藝的GH4742合金中γ'相的形貌
Fig.4Morphology of γ' phase in GH4742 alloy under different process conditions (a) forged; (b) 1080℃+780℃; (c) 1100℃+780℃; (d) 1120℃+780℃
圖5給出了用等效面積的方法統(tǒng)計(jì)的在不同溫度固溶的GH4742合金中γ'相的體積分?jǐn)?shù)和尺寸
隨著固溶溫度的提高一次γ'相的體積分?jǐn)?shù)顯著降低,二次γ'相的體積分?jǐn)?shù)不斷提高,三次γ'相的體積分?jǐn)?shù)變化較小,如圖5a所示;同時(shí),隨著固溶溫度的提高一次、二次γ'相的尺寸顯著增大,但是固溶溫度對(duì)三次γ'相的尺寸影響較小,如圖5b所示
圖5
圖5固溶溫度對(duì)GH4742合金γ'相體積分?jǐn)?shù)和尺寸的影響
Fig.5Effects of different solution temperatures on volume fraction and size distribution of γ' phase in GH4742 superalloy (a) Volume fraction of γ' phase; (b) Size distribution of γ' phase
3 討論3.1 固溶溫度對(duì)GH4742合金組織、性能和亞結(jié)構(gòu)的影響
在1080 ℃固溶時(shí)處于γ+γ'兩相區(qū),未溶解的γ'相阻止了晶粒的長大,細(xì)化了晶粒,平均晶粒尺寸為11.0 μm,具有較好的室溫力學(xué)性能(圖1a)
但是,晶粒細(xì)小則晶界較多,在高溫下晶界成為裂紋擴(kuò)展的薄弱環(huán)節(jié),使合金的高溫性能降低(圖1b、圖2)
固溶溫度為1120℃時(shí)γ'相全部溶解,晶粒顯著長大,晶粒尺寸達(dá)到111.2 μm,室溫力學(xué)性能顯著降低,但是基體內(nèi)晶界數(shù)量的大幅減少使高溫力學(xué)性能提高
固溶溫度為1100℃時(shí)晶粒尺寸適中為20.6 μm,室溫和高溫力學(xué)性能良好
使用Hall-Petch強(qiáng)化模型可定量計(jì)算晶界強(qiáng)化,晶界強(qiáng)化引起的強(qiáng)化增量為[8]
σHP=αGb1/2d-1/2
(1)
式中α為常數(shù)(0.3~0.6),d為平均晶粒尺寸
計(jì)算結(jié)果表明,固溶溫度為1080℃、1100℃、1120℃時(shí)晶界強(qiáng)化產(chǎn)生的強(qiáng)化增量分別為114~228 MPa、84~168 MPa、36~72 MPa
固溶溫度為1080℃和1120℃時(shí)晶界強(qiáng)化的強(qiáng)度計(jì)算差值ΔσHP為78~156 MPa,兩者實(shí)際測(cè)試的室溫屈服強(qiáng)度差值ΔσY為150 MPa,室溫測(cè)試的屈服強(qiáng)度差值在晶界強(qiáng)化引起的強(qiáng)化增量變化范圍內(nèi)
可以看出,晶粒尺寸的差異是影響基體強(qiáng)度重要因素
鍛態(tài)基體內(nèi)保留著大量未發(fā)生再結(jié)晶的粗大變形晶粒,這些晶粒內(nèi)分布著大量比例為20.1%的小角度晶界
在1080℃固溶后基體未完全發(fā)生靜態(tài)再結(jié)晶,基體內(nèi)保留著大量未發(fā)生再結(jié)晶的粗大變形晶粒,小角度晶界的比例略微下降(為18.7%)
在1120℃固溶后基體已發(fā)生充分靜態(tài)再結(jié)晶,小角度晶界的比例顯著降低(僅為3.2%)
小角度晶界由位錯(cuò)組成
低層錯(cuò)能的Ni基高溫合金其擴(kuò)展位錯(cuò)區(qū)較寬,很難通過束集而發(fā)生交滑移
但是在1080℃高溫固溶后位錯(cuò)可借助外界提供的熱激活能和空位擴(kuò)散進(jìn)行攀移,使滑移面上不規(guī)則的位錯(cuò)運(yùn)動(dòng)和重新分布,最終沿垂直于滑移方向排列并形成具有一定取向差的位錯(cuò)墻(小角度晶界),如圖6a所示
同時(shí),在1080℃固溶后基體中生成了有大量位錯(cuò)的細(xì)小亞晶,如圖6b所示
在1100℃固溶后位錯(cuò)滑移和攀移的能力進(jìn)一步提高,攀移使同一位滑移面上的異號(hào)位錯(cuò)抵消而形成亞晶界,基體內(nèi)的位錯(cuò)密度進(jìn)一步降低,如圖6c所示;固溶溫度的提高使發(fā)生靜態(tài)再結(jié)晶形成的亞晶明顯長大,并且晶內(nèi)的位錯(cuò)數(shù)量也顯著降低,如圖6d所示
鍛態(tài)和在1080℃固溶后粗大變形的晶粒內(nèi)分布著較高密度的位錯(cuò),這些位錯(cuò)在高溫高應(yīng)力下(650℃/823 MPa)下的滑移和攀移使基體不斷軟化而最終發(fā)生斷裂,使持久斷裂時(shí)間降低
同時(shí),基體內(nèi)的晶粒大小不均勻,高溫高應(yīng)力(650℃/823 MPa)使大小晶粒的交界處易產(chǎn)生應(yīng)力集中而形成裂紋,也是使持久斷裂時(shí)間較低的重要原因
圖6
圖6不同固溶溫度下基體內(nèi)位錯(cuò)的組態(tài)
Fig.6Dislocation configuration in the matrix under different solution temperatures (a) dislocation wall, 1080℃; (b) dislocation nets, 1080℃; (c) dislocation wall, 1100℃; (d) dislocation nets, 1100℃
鍛態(tài)粗大的變形晶內(nèi)的Σ3孿晶界主要分布在細(xì)小的晶粒內(nèi),其比例為10.2%
同時(shí),基體中少量的Σ9、Σ27高階孿晶界(圖3a)降低了再結(jié)晶晶粒長大的晶界能[9]
在1080℃固溶后Σ3孿晶界比例略微提高到13.2%,Σ9和Σ27高階孿晶界的變化較小;在1120℃固溶后Σ3孿晶界的比例顯著提高到58.6%,隨著晶粒尺寸的增大Σ3孿晶界顯著增大(圖3d),固溶溫度的提高促進(jìn)了孿晶取向Σ3(60°/111)孿晶界的形成
同時(shí),Σ9(38.9°/101)、Σ27a(31.6°/110)以及Σ27b(35.4°/210)高階孿晶界的比例也明顯提高
根據(jù)CSL規(guī)則[10],Σ3邊界之間的相互作用可形成Σ9邊界(Σ3+Σ3=Σ9)(圖3中的箭頭標(biāo)記)
當(dāng)一個(gè)Σ9邊界遇到另一個(gè)Σ3邊界時(shí)生成一個(gè)新的Σ3邊界(Σ3+Σ9=Σ3)(圖3中的箭頭標(biāo)記)或一個(gè)Σ27邊界(Σ3+Σ9=Σ27)
高階孿晶界具有較高的遷移率,在高溫下逐漸失去其共格特征(角度/軸),隨后轉(zhuǎn)化為一般的大角度晶界[11],加速了晶粒的粗化
3.2 固溶溫度對(duì) γ' 相析出的影響
固溶溫度的提高加速了一次γ'相的溶解,使其比例顯著降低
這些溶解的一次γ'相在隨后的冷卻過程中轉(zhuǎn)化為二次γ'相和三次γ'相
同時(shí),固溶溫度的提高使冷卻過程中經(jīng)歷的高溫區(qū)間增大,為二次γ'相的析出和長大創(chuàng)造了條件,使其比例和尺寸增大
在不同溫度固溶后三次γ'相析出經(jīng)歷的低溫區(qū)間段相同,因此固溶溫度對(duì)其析出的比例和尺寸影響較小
不同比例和尺寸的γ'相對(duì)強(qiáng)度有明顯的影響
建立GH4742合金在不同溫度固溶后γ'相的強(qiáng)化模型和晶界強(qiáng)化模型,可定量計(jì)算其不同類型γ'相產(chǎn)生的強(qiáng)化增量和晶界強(qiáng)化增量,可更好地調(diào)整優(yōu)化固溶溫度,最大程度地發(fā)揮γ'相的強(qiáng)化效果和細(xì)化晶粒的作用
γ'相的強(qiáng)化方式,主要有弱耦合有序強(qiáng)化、強(qiáng)耦合有序強(qiáng)化和Orowan繞過強(qiáng)化[12,13]
圖7給出了γ'相不同強(qiáng)化機(jī)制的示意圖
γ'相為LI2有序結(jié)構(gòu),γ'相的尺寸較小時(shí)位錯(cuò)可切過γ'粒子在γ'相內(nèi)部形成反相疇界(APB, Anti-phase boundary),從而產(chǎn)生有序強(qiáng)化
位錯(cuò)必須成對(duì)地穿過γ/γ'結(jié)構(gòu)運(yùn)動(dòng),尾隨的位錯(cuò)消除了領(lǐng)先位錯(cuò)產(chǎn)生的反相疇界
當(dāng)兩對(duì)位錯(cuò)間距與粒子直徑相差較大時(shí),這對(duì)位錯(cuò)不能同時(shí)存于單個(gè)細(xì)小的γ'相中,如圖7a所示
尾隨的位錯(cuò)落后于領(lǐng)先的位錯(cuò),兩者之間有缺陷的γ'相產(chǎn)生的剪切力來自于所加的切應(yīng)力,產(chǎn)生的強(qiáng)化為弱耦合強(qiáng)化
γ'相尺寸較大時(shí)位錯(cuò)對(duì)間距與γ'相尺寸相當(dāng),在領(lǐng)先的位錯(cuò)沒有完全切過γ'相時(shí)尾隨的位錯(cuò)已進(jìn)入γ'相中,如圖7b所示
尾隨位錯(cuò)必須克服位錯(cuò)間的彈性斥力以消除反相疇界,產(chǎn)生的強(qiáng)化為強(qiáng)耦合強(qiáng)化
γ'相尺寸繼續(xù)增大時(shí),位錯(cuò)線繞著γ'相發(fā)生彎曲形成位錯(cuò)環(huán),位錯(cuò)線的其余部分則越過粒子繼續(xù)移動(dòng),位錯(cuò)通過γ'相的方式由切過機(jī)制轉(zhuǎn)為Orowan繞過機(jī)制
不同強(qiáng)化機(jī)制相應(yīng)的強(qiáng)化增量為[14~16]:
圖7
圖7不同強(qiáng)化機(jī)制下位錯(cuò)與γ'粒子相互作用的示意圖
Fig.7Schematic diagram of interaction between dislocation and γ' particles under different strengthening mechanisms (a) weak pair-coupling strengthening; (b) strong pair-coupling strengthening; (c) Orowan bypassing strengthening
弱耦合有序強(qiáng)化
πΔσWeak=MγAPB2b6γAPBrfπGb21/2-f
(2)
強(qiáng)耦合有序強(qiáng)化
πΔσStrong=32MGbrf1/2ωπ3/22πγAPBrωGb2-11/2
(3)
Orowan繞過強(qiáng)化
ΔσOrowan=0.101MGbf1/2r(0.854-1.2f1/2)ln1.2rb
(4)
式中M為Taylor因子(M=2.8),γAPB為反相疇界能(0.1~0.3 J/m2)[13],?為Ni3Al粒子的體積分?jǐn)?shù),r為平均粒子半徑,G為切變模量(80 GPa),b為伯氏矢量值(0.25 nm),ω為無量綱常數(shù)(ω=1)
γ'相的強(qiáng)化是以上幾種強(qiáng)化方式的疊加
運(yùn)用合適的疊加法歸納各種強(qiáng)化機(jī)制對(duì)強(qiáng)度的貢獻(xiàn)值,得到γ'相強(qiáng)化總強(qiáng)度
σT=(Δσw+Δσs)k+ΔσOk1k
(5)
式中k為析出強(qiáng)化疊加指數(shù)(1~2)[12],k=1.71[17]
弱耦合對(duì)和強(qiáng)耦合對(duì)之間的過渡發(fā)生在γ'相粒子的大小使領(lǐng)先位錯(cuò)的切割力不能完全穿透γ'相顆粒的一半時(shí),既發(fā)生在位錯(cuò)線張力等于粒子排斥力時(shí),此時(shí)臨界半徑為rm≈Gb2/2γAPB[15]
計(jì)算結(jié)果表明,臨界轉(zhuǎn)換半徑約為20 nm(γAPB=0.2 J/m2),但是γ'相的體積分?jǐn)?shù)和反相疇界能γAPB對(duì)臨界轉(zhuǎn)換尺寸也有一定的影響
圖7給出了不同γ'相體積分?jǐn)?shù)和反相疇界能γAPB對(duì)不同強(qiáng)化機(jī)制臨界半徑的影響
可以看出,隨著γ'相體積分?jǐn)?shù)f的增大強(qiáng)弱耦合臨界轉(zhuǎn)換尺寸rC隨之適當(dāng)增大
隨著反相疇界能γAPB的增大強(qiáng)弱耦合臨界轉(zhuǎn)換尺寸rC顯著減小,如圖8a所示
切過與繞過臨界轉(zhuǎn)換半徑rC也隨著γ'相體積分?jǐn)?shù)f的增大而增大,隨著反相疇界能γAPB的增大而減小,如圖8b所示
圖8
圖8反相疇界能和體積分?jǐn)?shù)對(duì)γ'相不同強(qiáng)化機(jī)制中臨界半徑的影響
Fig.8Effect of anti-phase boundary energy and volume fraction on γ' phase critical radius of different strengthening mechanisms (a) Critical transformation radius of strong-weak coupling; (b) Critical transformation radius of shearing-bypassing
表3列出了反相疇界能γAPB為0.2 J/m2時(shí)固溶溫度對(duì)γ'相粒子尺寸、體積分?jǐn)?shù)以及強(qiáng)化增量的影響,其中γ'相尺寸和體積分?jǐn)?shù)在圖5中給出
從表3可以看出,一次γ'相尺寸較大,其尺寸遠(yuǎn)大于切過與繞過轉(zhuǎn)變的臨界尺寸(80~124 nm),強(qiáng)化方式主要為繞過機(jī)制強(qiáng)化,產(chǎn)生的強(qiáng)化增量較低
二次γ'相尺寸較小,但是明顯高于強(qiáng)弱耦合轉(zhuǎn)變的臨界尺寸(23~27 nm),因此強(qiáng)化方式為強(qiáng)耦合有序強(qiáng)化
在固溶溫度不同的條件下,二次γ'相產(chǎn)生的強(qiáng)化增量變化較大
在1080℃固溶后二次γ'相尺寸最小,但是體積分?jǐn)?shù)最低,強(qiáng)化增量ΔσStrong為218 MPa;在1100℃固溶后盡管二次γ'相的尺寸增大,但是體積分?jǐn)?shù)顯著增大,強(qiáng)化增量ΔσStrong最高約為250 MPa;在1120℃固溶后二次γ'相的尺寸最大而體積分?jǐn)?shù)最高,強(qiáng)化增量ΔσStrong約為224 MPa;三次γ'相的尺寸較小但是體積分?jǐn)?shù)最高,并且三次γ'相的尺寸明顯小于強(qiáng)弱耦合轉(zhuǎn)變的臨界尺寸,強(qiáng)化方式為弱耦合強(qiáng)化
固溶溫度對(duì)三次γ'相的尺寸、體積分?jǐn)?shù)影響較小,因此三次γ'相產(chǎn)生的強(qiáng)化增量變化較小,強(qiáng)化增量接近350 MPa
在1080℃、1100℃、1120℃固溶后疊加產(chǎn)生的最終強(qiáng)化增量ΔσT分別為572 MPa、597 MPa、572 MPa,ΔσT變化較小
Table 3
表3
表3不同工藝條件下γ'相的粒子尺寸、體積分?jǐn)?shù)以及強(qiáng)化增量
Table 3Size, volume fraction and strengthening increment of γ' phase under different process conditions
|
Strengthening
mechanism
|
1080 ℃
|
|
1100 ℃
|
|
1120 ℃
|
r / nm
|
f / %
|
Δσ / MPa
|
|
r / nm
|
f / %
|
Δσ / MPa
|
|
r / nm
|
f / %
|
Δσ/ MPa
|
γ'Ⅰ
|
Orowan bypasing
|
415.4
|
6.9
|
54.0
|
|
864.5
|
2.7
|
15.0
|
|
-
|
-
|
-
|
γ'Ⅱ
|
Strong-coupling
|
93.0
|
10.6
|
218.0
|
|
106.2
|
15.9
|
251.1
|
|
152.9
|
18.0
|
224.0
|
γ'Ⅲ
|
Strong-coupling
|
15.8
|
19.5
|
347.8
|
|
15.9
|
18.4
|
345.9
|
|
15.9
|
19.0
|
348.3
|
ΔσT
|
|
572
|
|
|
|
598
|
|
|
|
572
|
Note:r—mean radius of γ' phase, f—volume fraction of γ' phase, Δσ—strengthening increment of γ' phase of different sizes,ΔσT—total strengthening increment of γ' phase
4 結(jié)論
(1) 隨著固溶溫度的提高GH4742合金的室溫強(qiáng)度逐漸降低,而斷后延伸率和斷面收縮率變化較小
隨著固溶溫度的提高高溫強(qiáng)度逐漸提高,而高溫塑性逐漸降低
固溶溫度為1100℃時(shí)GH4742合金具有良好的室溫和高溫力學(xué)性能
(2) 鍛態(tài)和在1080℃亞固溶時(shí)基體中大量未發(fā)生靜態(tài)再結(jié)晶的粗大變形晶粒具有較高的LAGB比例,且晶粒大小不均勻,持久性能較低
隨著固溶溫度的提高基體靜態(tài)再結(jié)晶比例提高,基體內(nèi)LAGB的比例降低
基體內(nèi)的高階Σ9、Σ27孿晶界比例提高和晶粒粗化顯著,使材料的持久性能提高
(3) 隨著固溶溫度的提高基體內(nèi)一次γ'相的體積分?jǐn)?shù)顯著降低、尺寸增大,產(chǎn)生的強(qiáng)化增量最低;二次γ'相的體積分?jǐn)?shù)和尺寸均增加,強(qiáng)化增量的變化較大,在1100℃固溶強(qiáng)化的增量最高約為250 MPa;三次γ'相的體積分?jǐn)?shù)和尺寸的變化較小,產(chǎn)生的強(qiáng)化增量接近350.0 MPa
在不同固溶溫度下疊加后的強(qiáng)化增量變化較小,晶粒粗化是基體強(qiáng)度降低的主要原因
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研究了在750℃時(shí)效處理的GH4742合金的組織演化對(duì)疲勞裂紋擴(kuò)展行為的影響
結(jié)果表明,隨著時(shí)效時(shí)間的延長合金中的塊狀一次γ′相長大且其邊界圓滑化,花瓣?duì)疃桅谩湎嘌亟缑娣至眩桅谩湎嗷厝茉诨w中或聚集長大成圓角方形γ′相
隨著時(shí)效時(shí)間的延長合金疲勞裂紋的擴(kuò)展速率呈增加趨勢(shì),主裂紋以繞過一次和二次γ′相的方式擴(kuò)展
近門檻區(qū)的疲勞裂紋擴(kuò)展速率對(duì)組織較為敏感,一次γ′相和二次γ′相邊界的圓滑化使疲勞裂紋擴(kuò)展速率提高,三次γ′相適當(dāng)粗化可提高合金強(qiáng)度和ΔK較低區(qū)域裂紋的擴(kuò)展抗力;Paris區(qū)和快速擴(kuò)展區(qū)的應(yīng)力強(qiáng)度因子范圍ΔK較高,組織對(duì)疲勞裂紋擴(kuò)展速率的影響降低
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1
2022
聲明:
“固溶溫度對(duì)GH4742合金力學(xué)性能及γ' 相的影響” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)