權(quán)利要求書: 1.一種基于鋁氣化反應(yīng)的納米氮化鋁粉體合成裝置,其特征在于包括:外殼(100);
噴霧單元,設(shè)于外殼內(nèi);
氣化單元,設(shè)于外殼內(nèi)且銜接于噴霧單元下方;
反應(yīng)單元,設(shè)于外殼內(nèi)且銜接于氣化單元下方;
冷卻單元,銜接于氣化單元下方;
所述噴霧單元包括:送鋁機(jī)構(gòu)(201)、保溫殼體(202)、加熱罩(203)、鋁液倉(204)、氮?dú)鈬姽埽?05)和絕緣蓋座(206);
所述加熱罩設(shè)于保溫殼體內(nèi),加熱罩內(nèi)壁上布設(shè)有電熱絲(207);所述鋁液倉的中下段設(shè)于加熱罩內(nèi)且與加熱罩內(nèi)壁之間設(shè)有間隙,鋁液倉的頂部設(shè)有氬氣進(jìn)口(208),鋁液倉的底部延伸出加熱罩底部且設(shè)有向下的霧化噴嘴(209);所述氮?dú)鈬姽芡ㄈ脘X液倉內(nèi)中央且其出氣口朝向所述霧化噴嘴;所述送鋁機(jī)構(gòu)設(shè)于鋁液倉的頂部;所述絕緣蓋座設(shè)于保溫殼體和加熱罩的下方,絕緣蓋座的內(nèi)圈與鋁液倉的底部外壁之間設(shè)有間隙;
所述氣化單元包括:由上保溫絕緣外層(301)、隔熱中層(302)和發(fā)熱體內(nèi)層(303)依次構(gòu)成的氣化室、感應(yīng)線圈(304);
所述氣化室的頂部中央設(shè)有用于安置絕緣蓋座的開口;氣化室的底部中央設(shè)有連通反應(yīng)單元的開口;所述感應(yīng)線圈包裹于上保溫絕緣外層的外側(cè);所述發(fā)熱體內(nèi)層的底部呈口徑遞減的錐形,所述錐形與隔熱中層之間的空隙處填充有發(fā)熱填充體(305)和隔熱板(306);所述隔熱板位于氣化室的底部位置;
所述反應(yīng)單元包括:由下保溫絕緣外層(401)和耐熱內(nèi)層(402)構(gòu)成的反應(yīng)室、渦旋噴管(403);
所述耐熱內(nèi)層的底部呈口徑遞減的錐形,錐形底部中央連接有出料管(404),所述渦旋噴管通過出料管由反應(yīng)室外伸入反應(yīng)室內(nèi),且渦旋噴管的出氣端設(shè)有渦旋噴嘴(405),所述渦旋噴嘴位于氣化室底部開口正下方且噴氣方向向上;
所述冷卻單元包括:冷卻室殼體(501)、螺旋噴嘴(502)和下冷媒夾套(503);
冷卻室殼體的頂部中央設(shè)有開口,所述螺旋噴嘴設(shè)于開口處且通過連接法蘭(504)與反應(yīng)單元的出料管連接,螺旋噴嘴方向向下;冷卻室殼體上設(shè)有氮?dú)膺M(jìn)口(505),冷卻室殼體的底部呈口徑遞減的錐形,錐形底部中央為氣粉出口(506);所述下冷媒夾套設(shè)于冷卻室殼體的外側(cè)。
2.如權(quán)利要求1所述的納米氮化鋁粉體合成裝置,其特征在于:所述外殼上設(shè)有氬氣入口(101)。
聲明:
“基于鋁氣化反應(yīng)的納米氮化鋁粉體合成裝置” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)