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用于磨削加工硬質(zhì)地基例如混凝土的組合式切割體(1),包含有金剛石顆粒(3),它的粒度小于組合式切割體的粒度,金剛石顆粒嵌入由主要為金屬的粘結(jié)材料(2)構(gòu)成的母體中。金剛石顆粒的粒度大于50μm和小于300μm。每一個組合式切割體(1)在一個單獨的成型過程中,由金剛石顆粒(3)和粘結(jié)材料(2)的混合物成團和燒結(jié)而成,并具有約400μm至約1200μm的粒度。
磁共振成像系統(tǒng)的磁極片包含由多片含鐵和鋁的合金的薄板的層壓品。該合金材料的鋁含量最高可達17wt%,并且還可含有鈷、鎳和/或硅元素。用于該磁極片的Fe-Al合金薄板的電阻率高于60μΩ-cm。Fe-Al合金薄板的制造方法包括熱鍛、熱軋和冷軋工序。該制造方法還包括在冷軋工序之前和/或之后進行退火熱處理。
一種椎間植入物,其由多個金屬球體所組成的一多孔結(jié)構(gòu),且椎間植入物包括骨支撐區(qū)及骨成長區(qū);其中,骨支撐區(qū)及骨成長區(qū)各具有多個連通孔,且骨支撐區(qū)的孔隙率小于骨成長區(qū)的孔隙率。本發(fā)明提供的椎間植入物,其由多個均一粒徑的金屬球體所組成,且具有多個區(qū)域,各區(qū)依金屬球體所組成的數(shù)量不同,具有相異的孔隙率及孔隙大小,藉此提供具有多重剛性復(fù)合孔隙結(jié)構(gòu)的椎間植入物,且各區(qū)孔隙分布平均,其所產(chǎn)生應(yīng)力也平均,使椎間植入物可承受的應(yīng)力效果更佳。
制備成型的Ta/Nb粉末冶金制品的方法,包括采用氧含量大于目標水平如300ppm的Ta和/或Nb的氫化物粉末,在具有更高與氧親和力的其它金屬存在的情況下加熱金屬氫化物,去除該其它金屬和任何反應(yīng)副產(chǎn)物以生成氧含量低于目標水平的金屬粉末且通過所述的氧含量低于目標水平的所述低氧的Ta/Nb粉末制成冶金制品。
本發(fā)明公開了一種蟻巢狀連結(jié)支架結(jié)構(gòu)物、其制造方法,及蟻巢狀連結(jié)支架結(jié)構(gòu)裝置與其制法,該裝置的制法包括:將預(yù)定比例的一第一低溫材料組分、一連結(jié)材料組分、一導(dǎo)溫材料組分混合為一第一預(yù)混物,再與一第二低溫材料相混合為一第二預(yù)混物,將該第二預(yù)混物放置于一個具有預(yù)定厚度的塊狀或片狀的導(dǎo)溫塊上,再一起放入一加熱裝置中,并升溫至一預(yù)定溫度,使該第二預(yù)混物進行反應(yīng)與高溫?zé)Y(jié),快速冷卻固化后,就制得一蟻巢狀連結(jié)支架結(jié)構(gòu)裝置。借此,可在該導(dǎo)溫塊上制出具有不規(guī)則相連通孔洞且容易散溫的蟻巢狀連結(jié)支架結(jié)構(gòu)物,而能提升散熱效率。
本發(fā)明涉及在旋轉(zhuǎn)或舟形爐中,通過使用氫作為 還原劑,還原鉬酸銨或三氧化鉬得到的高純 MoO2粉末。將通過壓制/燒結(jié)、 熱壓和/或HIP進行的粉末固結(jié)用來制備圓盤、厚塊或板,該 圓盤、厚塊或板用作濺射靶。使用適宜的濺射方法或其它物理 方式將該MoO2圓盤、厚塊或板 形式濺射在基底上,從而提供具有期望膜厚的薄膜。就透射率、 導(dǎo)電率、功函數(shù)、均勻性以及表面糙度而言,該薄膜具有與氧 化銦錫(ITO)和摻鋅ITO可比或優(yōu)于其的性能如電的、光的、 表面粗糙度以及均勻性。可將該 MoO2和含該 MoO2的薄膜用在有機發(fā)光二極 管(OLED)、液晶顯示器(LCD)、等離子體顯示板(PDP)、場致 發(fā)射顯示器(FED)、薄膜太陽能電池、低電阻率歐姆接觸以及 其它電子和半導(dǎo)體器件中。
本發(fā)明涉及注射器用及吊瓶輸液器用注射液鈦過濾器及其的制作方法,更詳細地,涉及過濾能力得到提高且安全性高的注射器用及吊瓶輸液器用注射液鈦過濾器及其的制作方法。本發(fā)明提供注射器用注射液鈦過濾器,其特征在于,包括:第一本體,在內(nèi)側(cè)形成中空孔;以及第二本體,沿著上述第一本體的長度方向延伸,覆蓋上述中空孔的一側(cè),上述第一本體及上述第二本體由鈦粉末組成。
本發(fā)明提供可以形成骨與金屬材料互相三維地協(xié)同的立體結(jié)合層的支架。由此,為了可以給予細胞活動的充分的幾何學(xué)空間,不僅縮短形成立體型的結(jié)合時間,而且,即使在由于外傷、部分結(jié)合發(fā)生破裂的時候,由于細胞活動而可以自己修復(fù)。選定小于100μm、縱橫比20以上的鈦金屬纖維,絡(luò)合該選定而成的纖維、形成層狀,從纖維層表面到內(nèi)部,形成機體硬組織誘導(dǎo)性及固定附著性優(yōu)異的空間的設(shè)定,由將該材料固定在植入材料周圍來解決支架材料的設(shè)計。
本發(fā)明提供了一種照明設(shè)備(1),該照明設(shè)備包括多個固態(tài)光源(10)以及具有第一面(141)和第二面(142)的細長陶瓷主體(100),這些面限定細長陶瓷主體(100)的長度(L),細長陶瓷主體(100)包括一個或多個輻射輸入面(111)和輻射出射窗口(112),其中第二面(142)包括所述輻射出射窗口(112),其中所述多個固態(tài)光源(10)被配置成將藍色光源光(11)提供給所述一個或多個輻射輸入面(111)并且被配置成向輻射輸入面(111)中的至少一個提供至少1.0*1017光子/(s.mm2)的光子通量,其中細長陶瓷主體(100)包括陶瓷材料(120),該陶瓷材料被配置成將藍色光源光(11)的至少一部分波長轉(zhuǎn)換成至少轉(zhuǎn)換器光(101),其中陶瓷材料(120)包括A3B5O12 : Ce3+陶瓷材料,其中A包括釔(Y)、釓(Gd)和镥(Lu)中的一個或多個,并且其中B包括鋁(Al)。
本發(fā)明公開了一種燒結(jié)爐的冷卻方法,其特征是:將惰性冷卻氣體通入至燒結(jié)爐的裝料室與冷卻夾層內(nèi),使惰性冷卻氣體在裝料室和冷卻夾層內(nèi)形成對流,并與裝料室內(nèi)的材料、冷卻夾層內(nèi)的冷卻介質(zhì)進行熱交換,經(jīng)過熱交換的惰性冷卻氣體排出燒結(jié)爐,可對高溫的材料立即進行急速的冷卻,冷卻效率的變化區(qū)間更大,從而可以通過不同的冷卻條件產(chǎn)生使材料燒結(jié)后產(chǎn)生不同的產(chǎn)物,完成對材料熱處理的工藝,由單個燒結(jié)爐完成燒結(jié)與熱處理兩個工藝過程,去掉了現(xiàn)有技術(shù)中燒結(jié)爐中緩慢冷卻的過程與熱處理爐中升溫的過程,同時也少去了從燒結(jié)爐轉(zhuǎn)移至熱處理爐中的過程,使的生產(chǎn)效率提高,減少了能源的浪費。
本發(fā)明提供具有能夠?qū)⒅委熕璩浞至康奈镔|(zhì)均勻地擴散分布在材料內(nèi)部的結(jié)構(gòu)的醫(yī)用材料。醫(yī)用材料10由空隙率為20~97%的長方體形狀的多孔質(zhì)三維結(jié)構(gòu)體11和形成于其主體內(nèi)部的中空孔12、13、14、15構(gòu)成。另外,由該中空孔12引入磷酸鈣、磷灰石陶瓷等物質(zhì)和/或具有生理活性的細胞、組織、蛋白質(zhì)、適于使它們在其中發(fā)揮功能的物質(zhì)。
一種真空脫氨系統(tǒng),包含一個超重力真空脫氨裝置組、一個緩沖裝置、一個壓縮機組及一個氨純化裝置。該超重力真空脫氨裝置組用于從該含氨氮廢水中通過真空分離出含氨氣體及水氣;該緩沖裝置連通至該超重力真空脫氨裝置組,用于攔阻并冷凝該含氨氣體挾帶出來的水滴及該水氣,以與該含氨氣體分離,并排出該含氨氣體;該壓縮機組連通至該緩沖裝置,用于使從該緩沖裝置排出的該含氨氣體增壓;該氨純化裝置連通至該壓縮機組,用于使經(jīng)該壓縮機組增壓的該含氨氣體進行純化并液化形成高純度液氨。該真空脫氨系統(tǒng)適用于脫除含氨氮廢水中的氨氮成分并得到高純度液氨。
一種用于將LCO和/或HCO再循環(huán)至FCC單元以回收額外餾出物的方法和裝置??衫肍CC單元中的廢催化劑再循環(huán)來提高餾出物的產(chǎn)率。加氫處理區(qū)可使循環(huán)油的芳族化合物飽和以用于在FCC單元中裂化??蓪⒃傺h(huán)裂化料流再循環(huán)至下游加氫處理區(qū),以避開用于將FCC單元的進料氫化處理的第一加氫處理區(qū)。通過在真空分離之前加熱淤漿油而獲得了用于再循環(huán)的循環(huán)油的額外回收。
一種用于將LCO和/或HCO再循環(huán)至FCC單元以回收額外餾出物的方法和裝置。可利用FCC單元中的廢催化劑再循環(huán)來提高餾出物的產(chǎn)率。加氫處理區(qū)可使循環(huán)油的芳族化合物飽和以用于在FCC單元中裂化。可將再循環(huán)裂化料流再循環(huán)至下游加氫處理區(qū),以避開用于將FCC單元的進料氫化處理的第一加氫處理區(qū)。通過在真空分離之前加熱淤漿油而獲得了用于再循環(huán)的循環(huán)油的額外回收。
一種制備二茂鐵以及其他的金屬茂絡(luò)合物的方法,所述的方法包括:向一種二乙胺、環(huán)戊二烯、一種冠醚、以及一種金屬(鐵°粉,鈉°或者鉀°。)的溶液中添加一種金屬的鹵化物,例如氯化鐵(FeCl3)。對所述的沸騰的混合物進行攪拌之后,除去所述的二乙胺,并且利用一種烴凝析物對所述的殘余物進行萃取。對所述的萃取物進行過濾并且真空分離,從而使所述的金屬茂絡(luò)合物從所述的溶液中被結(jié)晶出來,其中所述的金屬茂絡(luò)合物例如是二茂鐵。所述的方法提供了一種用于制備有機金屬化合物的改進的方法,其中在所述的有機金屬化合物中含有一種過渡元素作為所述的金屬成分。所述的方法同樣提供了一種經(jīng)過改進的方法,用以制備二(環(huán)戊二烯基)過渡元素化合物,上述方法的顯著之處在于操作的經(jīng)濟性以及良好的產(chǎn)量。上述得到的產(chǎn)物已經(jīng)表現(xiàn)出了增加的辛烷值并且能夠減少來自于發(fā)動機燃料的氮氧化合物的排放。
提供無需解除下游側(cè)設(shè)備的真空就能夠更換靶材的離子源。靶材(13)配置在被排氣成真空的真空容器(10)內(nèi),且通過激光的照射產(chǎn)生離子。具有輸送管(17)、小孔(18)、中間電極(19)以及加速電極(20)的輸送部將由靶材產(chǎn)生的離子朝與離子源連接的下游側(cè)的設(shè)備輸送。在更換配置于真空容器(10)內(nèi)的靶材時,真空密封用盤(24)對輸送部進行密封,以將真空容器(10)側(cè)與下游側(cè)的設(shè)備側(cè)的真空分離。
一熱泵系統(tǒng)具有一安裝在室外主盤管下方并通過閥與其平行連接的分開的室外盤管。當(dāng)系統(tǒng)以加熱模式啟動時,輔助盤管的入口關(guān)閉而出口打開,以使壓縮機真空將揮發(fā)性較大的高壓成分逸出,從而充滿系統(tǒng)。然后關(guān)閉出口閥而將低壓成分阻擋在輔助盤管中。在一第二實施例中,采用蓄能器幫助輔助盤管對致冷劑混合物進行真空分離。其變型包括在啟動后通過膨脹閥產(chǎn)生阻塞流。
一種膜卷切割系統(tǒng)的膜卷吸著裝置,其在寬度方向上切割移動的膜卷。所述膜卷吸著裝置包括:吸著構(gòu)件,其具有用于通過真空固定所述膜卷的多個吸著孔;多個真空管路,其將所述吸著孔連接到真空泵;以及真空分離構(gòu)件,其被配置為將真空施加到放置著所述膜卷的吸著孔,并且不將真空施加到?jīng)]有放置所述膜卷的吸著孔。
一種摩擦材料設(shè)有作為其粘合劑的被烘焙、碳化的有機材料。所述摩擦材料在室溫下在4MPa的載荷下具有從0.3%到2.5%的壓縮變形程度、在10MPa的載荷下具有從1.0%到4.5%的壓縮變形程度。在300℃的壓縮變形程度與室溫下壓縮變形程度的壓縮變形比率在1-10MPa的載荷下是從1.0到1.5。所述烘焙碳化步驟包括在從550℃到1300℃的溫度下、在真空、還原氣體或惰性氣體的任何氛圍下碳化有機材料,其中載荷施加到所述有機材料上。
本發(fā)明的目的是經(jīng)濟地制造氧量和金屬元素量 較少的高純度海綿鈦材料。為了實現(xiàn)該目的,將從真空分離開 始到反應(yīng)容器內(nèi)的材料的中心部溫度達到爐溫附近的穩(wěn)定溫 度所需的時間規(guī)定為to小時,將真空分離工序中的真空分離時 間t設(shè)定為t=to+(15~35)小時。在材料中金屬元素量較少的中 心附近部分,用BET法測量的比表面積在 0.05m2/g以下,即使在大氣氣氛 中進行切割粉碎,切割粉碎后的氧量也可抑制在較低水平上。
一種陶瓷容器,所述的陶瓷容器具有結(jié)合為一體的一內(nèi)層陶瓷結(jié)構(gòu)和一外層陶瓷結(jié)構(gòu),所述內(nèi)層陶瓷結(jié)構(gòu)和外層陶瓷結(jié)構(gòu)之間存在一真空腔室;通過真空燒結(jié)使該內(nèi)層和外層陶瓷結(jié)構(gòu)為結(jié)晶密合陶瓷體,該真空腔室為完全密閉的真空狀態(tài),從而提升陶瓷容器的保溫、隔熱效果。
一種場發(fā)射顯示器的陰陽極板封裝涂膠方法,其為將玻璃膠涂覆在陰、陽極板的涂膠區(qū)上,以形成多個條狀玻璃膠,且兩相鄰的條狀玻璃膠間保持有間隔,再將玻璃膠涂覆于間隔中,以形成多個點狀玻璃膠,各個點狀玻璃膠間存在間隙,再將陰、陽極板進行預(yù)烤,以移除部分玻璃膠溶劑,并使部分玻璃膠硬化,然后將陰、陽極板對位壓合,并用固定夾夾持,放入真空腔內(nèi),用真空泵抽真空,以確保陰極板與陽極板內(nèi)部的真空度,最后進行真空燒結(jié),使玻璃膠軟化及溢膠融合,以獲得封合效果。
本發(fā)明提供光通訊元件的制作方法,一種光通訊元件的制作方法,用來制作T型殼體跟套筒,步驟如下:首先,將SUS304或SUS316L的金屬粉末混合,以獲得一金屬混合物。此金屬混合物置入金屬射出成型機,并射入預(yù)先準備好的模具。所獲得的粗坯經(jīng)過真空燒結(jié)即可獲得所需的T型殼體及套筒。
一種多向性電子發(fā)射源及其制造方法和多向性場發(fā)射顯示器,主要是首先提供一多面柱狀體或圓柱體基材,利用濺鍍、噴涂或蒸鍍將導(dǎo)電材料成形在該基材表層上,形成一第一導(dǎo)電層,再在第一導(dǎo)電層表面形成一第二導(dǎo)電層,第二導(dǎo)電層采用納米碳管為材料,通過噴涂或浸泡在納米碳管中電泳使第二導(dǎo)電層成形在第一導(dǎo)電層表面。第二導(dǎo)電層成形在第一導(dǎo)電層表面后,利用真空燒結(jié)技術(shù)使第二導(dǎo)電層固著在第一導(dǎo)電層表面上。將多向性陰極結(jié)構(gòu)封裝在陽極結(jié)構(gòu)內(nèi)部,再利用抽真空方式使多向性陰極結(jié)構(gòu)與陽極結(jié)構(gòu)封裝在一起,施加控制電壓后,即形成立體顯像的場發(fā)射顯示器。
本發(fā)明涉及用于冷卻器的回?zé)崞?其設(shè)置有蓄熱件,該蓄熱件具有均衡的通氣性和提高的傳熱性能。從通過真空燒結(jié)擠壓散亂金屬線形成的基墊中分離出多個墊。從基墊制成的該多個墊被順序插入外殼內(nèi)。根據(jù)本發(fā)明,墊被順序插入外殼內(nèi),從而在整個外殼內(nèi)實現(xiàn)均衡的通氣性。通過相鄰墊之間的邊界層使得傳熱損耗最小化,并且冷卻器的冷卻性能被極大地提高。
一種刨路機的刨刀組及其刨刀的制造方法。為提供一種耐磨耗性好、硬度高、韌性強度佳、刨除效果好的道路施工設(shè)備部件及其制造方法,提出本發(fā)明,刨路機的刨刀組包括刀座及刨刀;刀座一側(cè)延設(shè)軸部,并于軸部上依序套設(shè)彈性元件及定位墊片;刀座遠離軸部的一端設(shè)有定位容設(shè)刨刀的容置槽;刨刀設(shè)有基部,并于基部上方依序接設(shè)有圓弧錐部、圓柱部及尖錐部;且于尖錐部末端設(shè)有圓形平面;刨刀的制造方法系由小粒徑碳化鎢及大粒徑碳化鎢與含量為6~12wt%之間燒結(jié)金屬鈷粉混合后,再由真空燒結(jié)制成。
本發(fā)明提供一種以釹鐵硼磁石廢料制造釹鐵硼磁石的方法,其包含步驟:提供第一粉體,該第一粉體是由釹鐵硼磁石廢料所形成;提供第二粉體,該第二粉體是由合金薄帶所形成;混合該第一粉體和該第二粉體,形成混合粉體,該第一粉體相對于該混合粉體的重量為90~99?wt%;以及將該混合粉體依序進行磁場成型配向、真空燒結(jié)以及熱處理,以形成釹鐵硼磁石。
一種超硬合金,是含有WC粒子55~90質(zhì)量份,和以Fe為主成分的粘結(jié)相10~45質(zhì)量份的超硬合金,其中,所述粘結(jié)相具有如下組成,含有2.5~10質(zhì)量%的Ni、0.2~1.2質(zhì)量%的C、0.5~5質(zhì)量%的Cr、0.2~2.0質(zhì)量%的Si、0.1~3質(zhì)量%的W、0~5質(zhì)量%的Co、和0~1質(zhì)量%的Mn,余量實質(zhì)上由Fe和不可避免的雜質(zhì)構(gòu)成,并且所述超硬合金實質(zhì)上不含具有5μm以上的長徑的復(fù)碳化物。該超硬合金通過如下方式制造,即,在真空燒結(jié)后,在900℃~600℃的間以60℃/小時以上的速度進行冷卻。
以R2T14B型金屬間化合物為主相的、矩形比高的R-T-B系稀土燒結(jié)磁體, 按下所述還原擴散法制備 : (a)將稀土元素R的氧化物粉末、含T粉末(T是Fe或者Fe和Co)、含B粉末、以及Ca等還原劑混合, (b)將所得混合物在非氧化性氣氛中加熱至900—1350℃, (c)進行清洗以除去反應(yīng)副產(chǎn)物, (d)將所得的R-T-B系稀土合金粉末在1乇以下的真空中加熱至900—1200℃, 進行脫Ca熱處理。然后將所得的合金塊狀物粉碎、成形、真空燒結(jié)、熱處理及表面處理。塊狀物最好是在除去表面層后進行粉碎。
本發(fā)明提供一種復(fù)合介質(zhì)覆銅板的制備方法及印刷線路板,制備方法包括:通過含氟材料的乳液及至少兩種陶瓷填充材料形成基板生坯;含氟材料和至少兩種陶瓷填充材料的份量之和為100重量份,含氟材料為20?60重量份,至少兩種陶瓷填充材料包括第一陶瓷填充材料及第二陶瓷填充材料,第一陶瓷填充材料為1?5重量份,第二陶瓷填充材料為40?70重量份,對基板生坯進行預(yù)燒處理以形成復(fù)合基板;以預(yù)設(shè)燒結(jié)溫度及預(yù)設(shè)熱壓壓力對復(fù)合基板進行真空燒結(jié),以形成復(fù)合介質(zhì)覆銅板;其中,預(yù)設(shè)燒結(jié)溫度大于含氟材料的熔點且小于含氟材料的分解溫度,預(yù)設(shè)熱壓壓力范圍為5Mpa?20Mpa。通過上述實施方式,本發(fā)明能夠有效的降低復(fù)合介質(zhì)覆銅板的熱膨脹系數(shù),使其和銅箔的熱膨脹系數(shù)相當(dāng)。
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