本發(fā)明公開了一種定位半導體芯片長距離金屬線間缺陷的方法，包括步驟：1)對芯片進行研磨剝層處理，暴露待分析金屬線的至少端頭部分；2)在待分析金屬線的端頭附近，且與金屬線沒有交接的區(qū)域，墊積出與各條待分析金屬線對應(yīng)的金屬墊；3)在待分析金屬線的端頭和對應(yīng)的金屬墊之間，墊積出用于連接端頭和金屬墊的金屬條；4)在金屬墊上扎針，進行光致阻抗變化測試，定出缺陷在金屬線上的具體位置。該方法通過結(jié)合使用一系列的失效分析技術(shù)，實現(xiàn)了對特定長距離金屬線間缺陷的更快速、準確和有效的定位。