本發(fā)明提供了一種嵌入式OTP的8位MCU芯片的測(cè)試方法，屬于晶圓檢測(cè)技術(shù)領(lǐng)域。本嵌入式OTP的8位MCU芯片的測(cè)試方法，其特征在于，包括以下步驟：1、利用紫外線UV箱對(duì)含有嵌入式OTP的8位MCU芯片的晶圓做UV擦除，掃除OTP存儲(chǔ)單元的殘留電子；2、利用晶圓測(cè)試機(jī)提供的高壓管腳，將OTP存儲(chǔ)單元以插花方式寫入“0”數(shù)據(jù)，這樣可以檢測(cè)是否存在disturb和diag失效模型；3、利用晶圓測(cè)試機(jī)提供的高壓管腳，將OTP剩余存儲(chǔ)單元全部寫入“0”數(shù)據(jù)，這樣可以檢測(cè)是否存在disturb和diag失效模型。本發(fā)明通用性好，適用所有類型的含有嵌入式OTP的8位MCU芯片的晶圓。