本發(fā)明公開了一種半導(dǎo)體存儲(chǔ)產(chǎn)品的集成式高溫測(cè)試方法及系統(tǒng)，所述方法包括：通過(guò)獲得第一半導(dǎo)體存儲(chǔ)產(chǎn)品第一材料種類；確定第一正極限溫度；設(shè)計(jì)第一高溫試驗(yàn)，包括第一試驗(yàn)方案、第二試驗(yàn)方案；組建第一測(cè)試樣本集，并劃分為第一測(cè)試樣本、第二測(cè)試樣本；根據(jù)第一試驗(yàn)方案對(duì)第一測(cè)試樣本進(jìn)行高溫處理，獲得第一處理結(jié)果，根據(jù)第二試驗(yàn)方案對(duì)第二測(cè)試樣本進(jìn)行高溫處理，獲得第二處理結(jié)果；基于預(yù)設(shè)時(shí)間閾值獲得第一分析結(jié)果，其中包括多個(gè)失效樣本的分析結(jié)果；依次確定多個(gè)失效樣本的多個(gè)失效部位，并分別對(duì)多個(gè)失效部位進(jìn)行處理。解決了現(xiàn)有技術(shù)中人工對(duì)半導(dǎo)體存儲(chǔ)產(chǎn)品高溫測(cè)試存在耗費(fèi)人力大、測(cè)試步驟繁瑣，導(dǎo)致測(cè)試效率低的技術(shù)問(wèn)題。