本公開(kāi)實(shí)施例提供一種存儲(chǔ)單元的檢測(cè)方法及設(shè)備，該方法包括：向存儲(chǔ)單元中寫入第一數(shù)據(jù)；對(duì)存儲(chǔ)單元進(jìn)行第一讀取，以調(diào)整存儲(chǔ)電容的第一極板的第一電壓；對(duì)存儲(chǔ)單元進(jìn)行第二讀取，以獲取調(diào)整后的第一電壓對(duì)應(yīng)的第二數(shù)據(jù)；根據(jù)第二數(shù)據(jù)和第一數(shù)據(jù)是否一致，確定存儲(chǔ)單元的存儲(chǔ)電容是否失效。本公開(kāi)在進(jìn)行第二讀取之前，先進(jìn)行第一讀取，第一讀取的目的并不是讀取數(shù)據(jù)，而是為了通過(guò)第一讀取降低位線回存給第一極板的電壓，從而使后續(xù)進(jìn)行第二讀取時(shí)讀取錯(cuò)誤率較高，進(jìn)而可以檢測(cè)出來(lái)更多失效的存儲(chǔ)電容。這樣，就可以將漏電更小的離群存儲(chǔ)電容檢測(cè)出來(lái)。