本發(fā)明涉及一種多層銅互連布線(xiàn)結(jié)構(gòu)的檢測(cè)方法，包括如下步驟：采用開(kāi)封方法獲取多層銅互連布線(xiàn)結(jié)構(gòu)的裸芯片；清除所述裸芯片表面的殘留物；采用反應(yīng)離子蝕刻法去除所述裸芯片表面的保護(hù)膜；采用熱熔蠟將去除保護(hù)膜后的芯片固定于研磨拋光夾具；根據(jù)失效分析的結(jié)果，對(duì)所述芯片的缺陷區(qū)域進(jìn)行平行拋光剝層操作；利用顯微觀察監(jiān)測(cè)平行拋光進(jìn)度直至達(dá)到目標(biāo)層。本發(fā)明的多層銅互連布線(xiàn)結(jié)構(gòu)的檢測(cè)方法，可實(shí)現(xiàn)芯片中多層銅互連布線(xiàn)結(jié)構(gòu)的逐層去除，實(shí)現(xiàn)密集多層銅互連布線(xiàn)結(jié)構(gòu)中各層次形貌的平面觀察，對(duì)多層銅互連布線(xiàn)結(jié)構(gòu)芯片的失效機(jī)理確認(rèn)、提高集成電路的使用可靠性有重要的意義。