本申請公開了一種半導(dǎo)體器件中失效點的定位方法，涉及半導(dǎo)體制造領(lǐng)域。該半導(dǎo)體器件中失效點的定位方法包括確定半導(dǎo)體器件中發(fā)生橋接的兩個膜層，兩個膜層的材料相同；在第一膜層的起始端與第二膜層之間加第一電壓，在第一膜層的末端與第二膜層之間加第二電壓；獲取第一膜層的起始端與第二膜層之間的電流，記為第一電流，以及，獲取第一膜層的末端與第二膜層之間的電流，記為第二電流；根據(jù)第一膜層的長度、薄膜電阻率、第一電壓、第一電流、第二電壓、第二電流，確定第一膜層中失效點的位置；解決了目前失效分析中不能通過FIB機臺做VC方法定位出失效點的問題；達到了簡便有效地定位失效點的效果。