本發(fā)明公開(kāi)了一種基于表面態(tài)吸收原理的垂直耦合透明光電探測(cè)器,所述垂直耦合透明光電探測(cè)器包括:探測(cè)器和信號(hào)讀出電路;所述探測(cè)器由光敏面、氧化層、金電極、及襯底組成,光敏面由
半導(dǎo)體材料制成,待測(cè)光源為能量低于半導(dǎo)體禁帶寬度的光源;待測(cè)光源入射到光敏面上時(shí),通過(guò)邊界態(tài)吸收造成光敏區(qū)導(dǎo)納的變化;信號(hào)讀出電路以器件導(dǎo)納作為讀出信號(hào),待測(cè)光幾乎無(wú)損耗地穿過(guò)所述探測(cè)器,從而實(shí)現(xiàn)對(duì)待測(cè)光的非侵入式探測(cè)。本發(fā)明拓寬了光電探測(cè)器的應(yīng)用場(chǎng)景。
聲明:
“基于表面態(tài)吸收原理的垂直耦合透明光電探測(cè)器” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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