本發(fā)明公開了一種檢測(cè)半導(dǎo)體晶體或外延薄膜材料極性的方法,所述方法包括以下步驟:利用圓偏振光輻照待測(cè)的半導(dǎo)體晶體或外延薄膜材料,并檢測(cè)所產(chǎn)生的無偏壓電流的電流方向;根據(jù)所述無偏壓電流的電流方向,判斷所述待測(cè)的半導(dǎo)體晶體或外延薄膜材料的極性。另外本發(fā)明還公開了一種半導(dǎo)體晶體或外延薄膜材料極性的檢測(cè)系統(tǒng)。本發(fā)明的測(cè)試系統(tǒng)可在常溫常壓下工作,檢測(cè)精確度高、制樣簡(jiǎn)單快捷、檢測(cè)速度快,對(duì)測(cè)試樣品具有無損性,而且對(duì)測(cè)試人員的要求很低,操作非常容易,每個(gè)樣品的測(cè)試時(shí)間僅為10分鐘左右,更為重要的是整套測(cè)試系統(tǒng)價(jià)格低廉,可以大大降低測(cè)試成本。