本發(fā)明屬于場(chǎng)效應(yīng)晶體管技術(shù)領(lǐng)域,具體為一種石墨烯場(chǎng)效應(yīng)晶體管的制備方法。該方法的步驟包括:提供紅外線可穿透的襯底;化學(xué)氣相淀積石墨烯形成石墨烯溝道層;在石墨烯溝道層上構(gòu)圖形成柵介質(zhì)層;以及在柵介質(zhì)層上構(gòu)圖形成柵端。其中,石墨烯溝道層可操作地在紅外線輻射下產(chǎn)生光電導(dǎo)效應(yīng),以使石墨烯場(chǎng)效應(yīng)晶體管的電學(xué)特性發(fā)生變化。該制備方法工藝過程簡(jiǎn)單并易于與集成電路制造工藝兼容,所制備的場(chǎng)效應(yīng)晶體管具有靈敏度高、功耗低、超輕超穩(wěn)定的紅外探測(cè)功能,并且紅外吸收帶寬且可根據(jù)實(shí)際應(yīng)用需求可調(diào)。