本公開提供了一種窄帶隙二維半導體化合物EuTe4、其制備方法及其應用，兼具二維材料和窄帶隙半導體材料的優(yōu)點，可應用于光電探測器、熱電材料、二維超晶格器件和相變電子學器件。窄帶隙二維半導體化合物EuTe4，化學式為EuTe4，晶體結構屬于正交晶系，空間群為Pmmn，晶胞參數(shù)為：α＝90°；β＝90°；γ＝90°。EuTe4為窄禁帶半導體，光學帶隙約為0.3eV，電阻隨著溫度降低而增大，具有典型的一階相變特征；本公開中的具有二維材料和窄帶隙半導體材料的優(yōu)點，具有重要的應用和基礎研究價值。