本發(fā)明提供一種MEMS壓力傳感器制造方法及MEMS壓力傳感器，其中的MEMS壓力傳感器制造方法，包括對第一硅基體依次進行化學腐蝕和減薄處理，形成具有傾斜開孔的第一結構層；在第一結構層的最大開孔的一側鍵合第二結構層，并對第二結構層進行減薄處理，形成敏感層；在敏感層上制作探測單元、焊盤以及覆蓋敏感層、探測單元和焊盤的保護層；在第一結構層遠離敏感層的一側鍵合第二硅基體，并對第二硅基體依次進行干法刻蝕和減薄處理，形成具有規(guī)則開孔的第三結構層；在保護層上鍵合保護蓋，保護敏感層結構，并最終形成MEMS壓力傳感器。利用上述發(fā)明能夠利用單晶硅基底濕法腐蝕側壁傾斜特性，通過開孔倒置鍵合方式擴大壓力敏感膜的面積，并提高傳感器整體結構強度和性能。