本發(fā)明揭示了一種防止多晶硅柵極被研磨的方法，包括如下步驟：以多晶硅柵極的頂部為量測點測量多晶硅柵極上方的層間介電層的厚度，并將測量的厚度值作為層間介電層的前值厚度；根據(jù)層間介電層的前值厚度和預設的多晶硅柵極上方需保留的層間介電層的厚度，計算多晶硅柵極上方需要去除的層間介電層的厚度；采用化學機械研磨將多晶硅柵極上方需要去除的層間介電層去除。本發(fā)明通過測量多晶硅柵極上方的層間介電層的厚度來獲得層間介電層的前值厚度，消除了多晶硅柵極厚度對層間介電層前值厚度的影響，使得層間介電層的前值厚度更準確，從而避免了多晶硅柵極被研磨，提高了器件的良率。