本發(fā)明屬于化合物半導(dǎo)體晶片拋光技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種用于分子束外延InAs襯底的表面處理方法。該方法包括化學(xué)機械拋光和表面硫化鈍化處理，其中，化學(xué)機械拋光采用包含膠體二氧化硅、弱堿性氧化劑、有機鈉鹽、pH調(diào)節(jié)劑和水的堿性拋光液。本發(fā)明較好地解決了InAs襯底這種較軟的化合物襯底拋光時易產(chǎn)生的劃痕、顆粒污染及在外延生長時表面難脫氧等問題，采用該方法處理的InAs襯底可穩(wěn)定生長出高質(zhì)量的超晶格紅外探測器外延片。