本發(fā)明公開(kāi)了一種一維硒化鎘半導(dǎo)體納米線的制備方法，包括：在襯底上沉積一金屬催化劑薄膜；在保護(hù)氣存在下，均勻混合硫化鎘和硒化鎘；將沉積催化劑薄膜的襯底和混合的硫化鎘與硒化鎘進(jìn)行加溫，通過(guò)化學(xué)氣相沉積方法得到納米線。采用化學(xué)氣相沉積的方法能夠大面積批量生長(zhǎng)，可有效控制半導(dǎo)體納米線的生長(zhǎng)方向、長(zhǎng)度，并顯著提高其載流子遷移率。制備的光電探測(cè)器性能優(yōu)異。