本發(fā)明屬于化學(xué)氣相沉積真空設(shè)備及微納薄膜生產(chǎn)技術(shù)領(lǐng)域,具體公開了一種分源定位真空管式爐裝置,包括氣體流量控制器、置源組件、第一法蘭盤、管式爐石英管和第二法蘭盤,置源組件包括第一接口、置源管、伸縮管和測(cè)溫管,置源管和氣體流量控制器通過(guò)第一接口相互連通,伸縮管套設(shè)于置源管外,測(cè)溫管一端穿過(guò)第一接口并容置于置源管內(nèi);第一法蘭盤一端面設(shè)置有和多個(gè)置源組件一一對(duì)應(yīng)安裝的多個(gè)第二接口,管式爐石英管兩端分別安裝有第一法蘭盤和第二法蘭盤。本發(fā)明提供的裝置可將化學(xué)氣相沉積生長(zhǎng)所需的各個(gè)分子源獨(dú)立分開控制,獨(dú)立調(diào)節(jié)各個(gè)分子源的溫度、流速和位置,能夠精度滿足納米薄膜生長(zhǎng)需求,法蘭端真空接口擴(kuò)展容易,調(diào)整方便。
聲明:
“分源定位真空管式爐裝置” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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