本發(fā)明公開了一種高Q高FoM的金屬介質(zhì)輔助GMR的折射率傳感芯片，所述的折射率傳感芯片分為四層結構，第一層為底層的透明介質(zhì)基底，第二層為金屬薄膜層，第三層介質(zhì)光柵層，第四層為高折射率介質(zhì)光柵層；其中，介質(zhì)光柵層和高折射率介質(zhì)光柵層為周期性光柵陣列，光柵周期同為p，光柵占空比同為q，厚度分別為t1和t2，其中t1<t2；通過調(diào)整芯片的結構參數(shù)，包括金屬薄膜層厚度和高折射率介質(zhì)光柵層的光柵參數(shù)及厚度，在Q值較低的GMR（Guided?Mode Resonance）共振峰的基礎上，衍生出一個高Q的共振峰；該高Q共振峰處伴隨著相位突變，高Q共振峰具備偏振敏感性?；诒景l(fā)明可實現(xiàn)高靈敏的折射率傳感，對疾病診斷、藥物研發(fā)、生物化學檢測等領域具有發(fā)展性的意義。