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ITO導(dǎo)電玻璃上集成增強(qiáng)基底的SERS微流控芯片及制備方法

885   編輯:管理員   來源:中冶有色技術(shù)網(wǎng)  
2023-03-19 08:11:50
一種基于ITO導(dǎo)電玻璃上集成納米增強(qiáng)基底的復(fù)合式多通道SERS微流控芯片及其制備方法。本發(fā)明充分利用ITO導(dǎo)電玻璃表面光滑、導(dǎo)電性好的特性,將其作為SERS微結(jié)構(gòu)的基底表面,采用兩步計(jì)時(shí)電流沉積方法,通過控制納米顆粒成核與生長過程中的沉積電位與沉積時(shí)間,控制納米顆粒形貌與尺寸,可有效制備靈敏度高、穩(wěn)定性好、均勻分布的金屬納米結(jié)構(gòu)SERS基底。進(jìn)一步,將其與含陣列式微通道的PDMS蓋片鍵合,構(gòu)建獲得復(fù)合式、高通量的微流控SERS芯片,該芯片在同一片ITO玻璃上制作形成多個(gè)SERS檢測區(qū),其納米增強(qiáng)基底是同步電化學(xué)沉積獲得,其形貌一致性好,信號(hào)重現(xiàn)性佳。
聲明:
“ITO導(dǎo)電玻璃上集成增強(qiáng)基底的SERS微流控芯片及制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)
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