本發(fā)明提供一種利用HIPIMS方法結(jié)合鍍膜智能監(jiān)控加氣系統(tǒng)制備化合物薄膜材料的方法，運(yùn)用高功率脈沖磁控物理氣相沉積方法制備高質(zhì)量化合物薄膜，利用智能監(jiān)控加氣系統(tǒng)檢測(cè)真空腔體內(nèi)等離子體密度與分布情況、等離子體能量以及各工藝氣體的比例變化，自動(dòng)調(diào)控腔體內(nèi)工藝氣體的加入量以及加入量的變化速度，結(jié)合HIPIMS技術(shù)濺射各類靶材，本發(fā)明方法發(fā)揮高功率磁控濺射的成膜特點(diǎn)，且通過(guò)引入智能監(jiān)控加氣系統(tǒng)，采用適當(dāng)?shù)墓に嚳芍苽湫阅軆?yōu)良的所需化學(xué)計(jì)量比的高質(zhì)量化合物薄膜材料，解決現(xiàn)有的反應(yīng)濺射鍍膜中因靶材表面“毒化”而導(dǎo)致的濺射效率下降，靶材表面“毒化”打火，而成膜質(zhì)量下降的問(wèn)題。