本發(fā)明提供了一種復(fù)合陣列電極,包括微電極陣列基體,以及形成在所述微電極陣列基體的微電極表面的修飾層,所述修飾層包括多個(gè)間隔設(shè)置在所述微電極表面的導(dǎo)電層,所述微電極表面上,所述導(dǎo)電層以外的區(qū)域設(shè)置絕緣層,所述導(dǎo)電層的材質(zhì)包括納米鉑、納米銥、導(dǎo)電聚合物和
碳納米管等中的一種或多種。該復(fù)合陣列電極有效消除的邊緣效應(yīng)的影響,整個(gè)所述復(fù)合陣列電極的微電極表面電場分布均勻,顯著提高了電極的
電化學(xué)性能和電極的檢測能力水平。本發(fā)明還提供了復(fù)合陣列電極的制備方法和應(yīng)用。
聲明:
“復(fù)合陣列電極及其制備方法和應(yīng)用” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)