本發(fā)明涉及一種在鋯基非晶合金表面制備氧化物納米管陣列層的方法,具體為采用陽極氧化技術,在鋯基非晶合金表面制備一層高度有序的氧化物納米管陣列層。本發(fā)明制備的氧化物納米管陣列層具有結構可控性,納米管的直徑和納米管陣列層的厚度分別可以在10nm~50nm,400nm~1μm之間調(diào)控。制備方法和檢測方法簡單,可應用于鋯基生物醫(yī)用非晶合金的表面改性和
電化學催化、光催化降解等領域。
聲明:
“在鋯基非晶合金表面制備氧化物納米管陣列層的方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)