本發(fā)明屬于半導體晶圓清洗領(lǐng)域，涉及一種基于超聲波?等離子體復合清洗晶圓的方法和裝置。本發(fā)明包括超聲波清洗工藝結(jié)合等離子體清洗工藝的模式，可以根據(jù)清洗環(huán)境，切換物理清洗與等離子體清洗以獲得最節(jié)約能量與最大效率的方式開展清洗，節(jié)約時間和人力成本，具有巨大經(jīng)濟優(yōu)勢；通過設(shè)置多次晶圓檢測步驟，可以提高碳化硅晶圓的清洗質(zhì)量；通過設(shè)置等離子體清洗工藝，可以清洗碳化硅晶圓表面的化學污染物和由范德華力吸附的超細微粒污染物。