本發(fā)明公開了一種基于SOI的垂直梳齒制造工藝，SOI從下到上依次為襯底、絕緣層、Si層，步驟如下：(1)利用化學(xué)氣相沉積工藝在Si層上沉積一層SiO2薄膜，(2)刻蝕SiO2薄膜，(3)采用物理氣相沉積和剝離技術(shù)得到鋁電極；(4)采用物理氣相沉積和剝離技術(shù)得到Cr掩膜；(5)干刻，去除未被Cr掩膜覆蓋的SiO2薄膜；(6)Si層第一次干刻；(7)去除Cr掩膜；(8)Si層第二次干刻；(9)絕緣層刻蝕，釋放梳齒結(jié)構(gòu)。采用簡(jiǎn)單工藝同時(shí)制造出等高和不等高垂直梳齒結(jié)構(gòu)，可實(shí)現(xiàn)加速度計(jì)三軸方向特別是Z軸方向上加速度的檢測(cè)。