一種制造薄膜電化學(xué)裝置的方法可包括以下步驟：在基板上沉積膜堆疊結(jié)構(gòu)，所述膜堆疊結(jié)構(gòu)包括陰極集電體(CCC)、陰極、電解質(zhì)、陽(yáng)極及陽(yáng)極集電體(ACC)；對(duì)堆疊結(jié)構(gòu)進(jìn)行激光裸片圖案化以形成已裸片圖案化的堆疊結(jié)構(gòu)；對(duì)已裸片圖案化的堆疊結(jié)構(gòu)進(jìn)行激光圖案化以暴露出已裸片圖案化的堆疊結(jié)構(gòu)中的每一個(gè)已裸片圖案化的堆疊結(jié)構(gòu)的CCC層及ACC層中的至少一個(gè)的接觸區(qū)域，對(duì)已裸片圖案化的堆疊結(jié)構(gòu)進(jìn)行激光圖案化的步驟形成裝置堆疊結(jié)構(gòu)；在元件堆疊結(jié)構(gòu)上沉積毯覆式封裝層；對(duì)毯覆式封裝層進(jìn)行激光圖案化以暴露出裝置堆疊結(jié)構(gòu)中每一個(gè)裝置堆疊結(jié)構(gòu)的ACC層及CCC層的接觸區(qū)域，毯覆式封裝層的激光圖案化步驟形成已封裝的裝置堆疊結(jié)構(gòu)；及通過(guò)對(duì)裝置堆疊結(jié)構(gòu)及已封裝的裝置堆疊結(jié)構(gòu)中的一個(gè)或多個(gè)進(jìn)行熱像分析以識(shí)別熱點(diǎn)。