本發(fā)明提供了一種通過簡單的光化學(xué)摻雜電子手段，實(shí)現(xiàn)常規(guī)半導(dǎo)體量子點(diǎn)(CdSe QD)中熱載流子壽命顯著延長的獨(dú)特方法?；贑dSe QD材料體系，改變量子點(diǎn)導(dǎo)帶中摻雜電子的程度，利用超快瞬態(tài)吸收光譜儀，系統(tǒng)研究了不同電子光摻雜程度對(duì)CdSe QD中熱電子馳豫時(shí)間的影響，通過分析對(duì)比獲取的動(dòng)力學(xué)譜圖和相關(guān)動(dòng)力學(xué)參數(shù)，發(fā)現(xiàn)QD中電子摻雜程度較低時(shí)(<25％)，其熱電子壽命達(dá)到10ps左右；若QD中實(shí)現(xiàn)電子重度摻雜，即摻雜程度在60％左右，此時(shí)熱電子馳豫壽命可被延長至300ps量級(jí)。為今后基于QD的熱載流子高效提取材料體系的調(diào)控、構(gòu)建和設(shè)計(jì)提供了一定的理論指導(dǎo)。